【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体结构，特别是涉及一种转移结构及其制备方法、芯片转移方法。
技术介绍
1、随着led尺寸逐渐缩小，芯片的转移工艺要求越来越精确，对于转移过程中产生的杂质容忍范围越来越小。
2、一般采用硅凸片印章进行芯片转移，然而在转移过程中印章上的胶材易因高温高压环境扩散流动而残留在背板和芯片上，导致转移良率较低，也会污染其他与芯片键合的器件。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请提供一种转移结构及其制备方法、芯片转移方法，旨在解决转移良率较低的问题。
2、第一方面，本申请提供一种转移结构，包括：
3、基底，所述基底包括基底主体和位于所述基底主体表面的凸起阵列，所述凸起阵列包括多个间隔排布的凸起，各所述凸起远离所述基底主体的表面均设有凹槽；
4、转移胶，至少位于部分所述凹槽内，用于将待转移芯片粘附于所述凸起远离所述基底主体的表面。
5、在其中一个实施例中，所述基底包括硅基底、碳化硅基底或蓝宝石基底。
6、在其中一个实施...
【技术保护点】
1.一种转移结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述基底包括硅基底、碳化硅基底或蓝宝石基底。
3.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述凹槽与所述凸起一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述转移胶包括热解胶。
5.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述转移胶远离所述基底主体的表面高于所述凹槽远离所述基底主体的表面。
6.一种转移结构的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的转移结构的制备方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种转移结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述基底包括硅基底、碳化硅基底或蓝宝石基底。
3.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述凹槽与所述凸起一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述转移胶包括热解胶。
5.根据权利要求1所述的转移结构，其特征在于，所述转移胶远离所述基底主体的表面高于所述凹槽远离所述基底主体的表面。
6.一种转移结构的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟英睿，萧俊龙，刘志贤，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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