【技术实现步骤摘要】
本申请涉及dcb氧化铝陶瓷基板制备，具体涉及一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法。
技术介绍
1、dcb氧化铝陶瓷基板具有热循环性高、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高等优势，热膨胀系数接近于硅，是大功率电子器件、集成电路板的关键封装材料。广泛应用于半导体致冷器，电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路，功率混合电路，智能功率组件等多项工业电子领域。目前市场上氧化铝陶瓷基板的制程主要包括：铜瓷高温烧结、清洗、图形转移、蚀刻、表面处理等。
2、dcb技术是高温下利用铜的含氧共晶液cualo2直接将铜敷接在陶瓷上，其基本原理就是敷接过程前或过程中在铜与陶瓷（氧化铝）之间引入适量的氧元素，在一定的温度范围内，铜与氧形成cu-o共晶液，浸润铜箔实现陶瓷基板与铜板的结合生成偏铝酸铜和铝酸铜。然而烧结中间产物cualo2为p型半导体，电导率高于al2o3，在施加高压时，具有一定导电性，导致产品绝缘电阻降低，漏电流偏大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，主要在dcb氧化铝陶瓷基板蚀刻完成后进行氢氟酸溶液的浸泡处理，使用特定浓度的氢氟酸溶液针对不同瓷片厚度范围的dcb氧化铝陶瓷基板进行浸泡，再经过三次清洗和烘干，解决了现有技术存在的上述问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用了以下方案：
3、一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包
4、步骤一：在蚀刻工艺完成后将dcb氧化铝陶瓷基板浸泡在氢氟酸溶液中；
5、步骤二：将步骤一中浸泡后的dcb氧化铝陶瓷基板进行三次清洗；
6、步骤三：将步骤二清洗后的dcb氧化铝陶瓷基板进行烘干。
7、本方法主要在蚀刻工艺完成后将dcb氧化铝陶瓷基板浸泡在氢氟酸溶液中进行处理，再进行三次清洗和烘干。经氢氟酸溶液浸泡处理后，消除产品烧结后陶瓷基板与铜板的结合生成共晶产物偏铝酸铜（cualo2），破坏o-cu-o结构，从而降低岛间电导率，提高产品绝缘性能。氢氟酸溶液与偏铝酸铜（cualo2）的反应如下：hf+ cualo2→alf3+cuf+h2o。
8、不同瓷片厚度范围的dcb氧化铝陶瓷基板对应特定浓度的氢氟酸溶液，使氢氟酸发挥最大去除共晶产物偏铝酸铜（cualo2）的作用，从而进行降低成本。
9、三次清洗的目的是为了更有效、更快速地清洗氢氟酸残留及表面杂质，不会使残留试剂对人体造成伤害，也不会使表面残留物影响后续漏电流测试结果。分别采用超纯水超声清洗、纯水浸泡清洗以及纯水慢拉提水洗，清洗方式、时间和温度不一致，dcb氧化铝陶瓷基板刚从氢氟酸专用浸泡槽转移至超纯水洗槽中，采用一次超声清洗最大程度地洗掉dcb氧化铝陶瓷基板表面的氢氟酸和杂质，在60~80℃的温度条件下能更有效的配合超声频率震动把dcb氧化铝陶瓷基板表面的氢氟酸和杂质去掉。二次浸泡清洗，进一步清除dcb氧化铝陶瓷基板表面的氢氟酸和杂质。三次慢拉提水洗，是为了下一道后处理工序做准备，利用60~70℃热纯水加快速度提取清洗，可有效的去除前面两道清洗的杂质残留，保证后道工序的产品不会有杂质及氢氟酸残留，污染后处理的清洗试剂，确保清洗效果既降本增效，又节约成本。
10、对dcb氧化铝陶瓷基板的烘干主要去除基板表面的水分，防止基板氧化而对后续漏电流测试结果产生影响。
11、进一步优选地，所述步骤一中，所述氢氟酸溶液的浓度为4~8%。
12、进一步优选地，浓度为4~8%的氢氟酸溶液由浓度为40%的氢氟酸溶液和纯水制备获得。
13、进一步优选地，浓度为4~8%的氢氟酸溶液用于厚度为0.2~1.0mm的dcb氧化铝陶瓷基板的浸泡。一定瓷片厚度范围的dcb氧化铝陶瓷基板对应特定浓度的氢氟酸溶液，使此浓度下的氢氟酸溶液发挥最大去除共晶产物的效果，降低氢氟酸溶液的过度浪费。
14、进一步优选地，将dcb氧化铝陶瓷基板放入氢氟酸专用浸泡槽浸泡10~13min，氢氟酸溶液的溶液温度为40~60℃。
15、进一步优选地，所述步骤二中的三次清洗使用超纯水或者纯水进行清洗。
16、进一步优选地，一次超声清洗，将步骤一中氢氟酸溶液浸泡后的dcb氧化铝陶瓷基板转移至超纯水洗槽中使用超纯水超声清洗1~3min，清洗温度为60~80℃。
17、进一步优选地，二次浸泡清洗，将经过一次超纯水清洗的dcb氧化铝陶瓷基板转移至浸泡水洗槽中使用纯水清洗1~2min，清洗温度为室温。
18、进一步优选地，三次慢拉提水洗，将经过二次纯水清洗的dcb氧化铝陶瓷基板转移至慢提拉槽中，使用纯水慢拉提水洗45~60s，清洗温度为60~70℃。
19、进一步优选地，三次慢拉提水洗结束后，将dcb氧化铝陶瓷基板转移至烘干槽内使用热风烘干3~5min，烘干温度为110~130℃。
20、本专利技术的有益效果为：通过在不同瓷片厚度范围内的dcb氧化铝陶瓷基板蚀刻完成后进行特定浓度的氢氟酸溶液浸泡处理，消除产品烧结后陶瓷基板与铜板的结合生成共晶产物偏铝酸铜（cualo2），破坏o-cu-o结构，从而降低岛间电导率，提高产品绝缘性能，提高最终产品的合格率。同时将特定浓度的氢氟酸对应不同瓷片厚度范围内的dcb氧化铝陶瓷基板在氢氟酸溶液浸泡处理后进行三次清洗，采用特定的清洗方式、温度和时间，以确保氢氟酸清洁处理效果的一致性和稳定性，适用于大规模生产，并能有效提高dcb氧化铝陶瓷基板的性能，实现降本增效，节约成本。
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1.一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，所述步骤一中，所述氢氟酸溶液的浓度为4~8%。
3.根据权利要求2所述的一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，浓度为4~8%的氢氟酸溶液由浓度为40%的氢氟酸溶液和纯水制备获得。
4.根据权利要求2所述的一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，浓度为4~8%的氢氟酸溶液用于瓷片厚度为0.2~1.0mm的DCB氧化铝陶瓷基板的浸泡。
5.根据权利要求2所述的一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，将DCB氧化铝陶瓷基板放入氢氟酸专用浸泡槽浸泡10~13min，氢氟酸溶液的溶液温度为40~60℃。
6.根据权利要求2所述一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，所述步骤二中的三次清洗使用超纯水或者纯水进行清洗。
7.根据权利要求6所述一种消
8.根据权利要求7所述一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，二次浸泡清洗，将经过一次超声清洗的DCB氧化铝陶瓷基板转移至浸泡水洗槽中使用纯水清洗1~2min，清洗温度为室温。
9.根据权利要求8所述一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，三次慢拉提水洗，将经过二次浸泡清洗的DCB氧化铝陶瓷基板转移至慢提拉槽中，使用纯水慢提拉水洗45~60s，清洗温度为60~70℃。
10.根据权利要求9所述一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，三次慢拉提水洗结束后，将DCB氧化铝陶瓷基板转移至烘干槽内使用热风烘干3~5min，烘干温度为110~130℃。
...【技术特征摘要】
1.一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，所述步骤一中，所述氢氟酸溶液的浓度为4~8%。
3.根据权利要求2所述的一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，浓度为4~8%的氢氟酸溶液由浓度为40%的氢氟酸溶液和纯水制备获得。
4.根据权利要求2所述的一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，浓度为4~8%的氢氟酸溶液用于瓷片厚度为0.2~1.0mm的dcb氧化铝陶瓷基板的浸泡。
5.根据权利要求2所述的一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，将dcb氧化铝陶瓷基板放入氢氟酸专用浸泡槽浸泡10~13min，氢氟酸溶液的溶液温度为40~60℃。
6.根据权利要求2所述一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，所述步骤二...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂俸文，帅豪，丁勤，胡琳，
申请(专利权)人：四川富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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