有机聚合物、碳硬掩膜组合物和形成图案的方法技术

本申请涉及高分子聚合物领域，特别涉及一种有机聚合物、碳硬掩膜组合物和形成图案的方法。本申请的有机聚合物包含以共价键方式彼此连接的第一结构单元、第二结构单元；所述第一结构单元为；所述第二结构单元包括下式中至少一种、、、、、；其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7分别独立地选自C2~C9烯基或C2~C9炔基。该有机聚合物、碳硬掩膜组合物可用于制备高含碳量、耐高温、耐蚀刻以及可通过旋涂加工形成具有平坦化特性的有机膜的碳硬掩膜。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及高分子聚合物领域，特别涉及一种有机聚合物、碳硬掩膜组合物和形成图案的方法。

技术介绍

1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着精细化方向不断发展。目前通过光刻机短波长光源的选择，如krf准分子激光（248nm）、arf准分子激光（193nm）乃至极紫外线（euv,13.5nm），可以实现线宽只有几十纳米甚至几纳米的超精细图案。

2、传统的光刻蚀技术是在基板上镀上一层功能材料层，然后在上面涂布上一层光刻胶，通过曝光与显影在光刻胶层上形成图案后，再通过蚀刻方法在图案转印到功能材料层上。然而，随着图案的精细化，图案的深度与线宽的比值（纵横比）也会显著增大，使用传统的单层抗蚀剂法进行图案转印时，会因为显影液的表面张力作用导致图案坍塌与失真，出现分辨率问题。如果采用多层抗蚀剂法，在高低差基板上叠层多种具有不同抗蚀刻特性膜材料，通过选择性刻蚀可以将光刻胶上的图案转印到抗蚀刻下层膜中，并以此作为掩膜，再通过氧等离子体干蚀刻等方法将精细本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机聚合物，其包含以共价键方式彼此连接的第一结构单元和第二结构单元；

2.如权利要求1所述的有机聚合物，其特征在于，所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比为1：（0.5~1.5）。

3.如权利要求1所述的有机聚合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7分别独立地选自、、或。

4.如权利要求1~3任一项所述的有机聚合物，其特征在于，其重均分子量为1000~5000。

5.如权利要求4所述的有机聚合物，其特征在于，其聚合物分散性指数为2.5~5。

6.权利要求1~5任一项所述的有机聚合物的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种有机聚合物，其包含以共价键方式彼此连接的第一结构单元和第二结构单元；

2.如权利要求1所述的有机聚合物，其特征在于，所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比为1：（0.5~1.5）。

3.如权利要求1所述的有机聚合物，其特征在于，r1、r2、r3、r4、r5、r6和r7分别独立地选自、、或。

4.如权利要求1~3任一项所述的有机聚合物，其特征在于，其重均分子量为1000~5000。

5.如权利要求4所述的有机聚合物，其特征在于，其聚合物分散性指数为...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁一鸣，黎立桂，钟娜，
申请(专利权)人：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院，
类型：发明
国别省市：