【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及吸附保持基板的基板保持构件。
技术介绍
1、以往，在半导体等的制造工艺特别是曝光工序、检查工序、切割工序等中，使用真空吸附并保持硅晶圆等基板的基板保持构件。这种基板保持构件使用通过对基板的背面和基体的表面的空间进行真空排气来保持基板的方法。
2、专利文献1公开了一种真空吸附装置，为了保持高的平坦精度，在基体的表面形成多个尖细形状的突起，通过减少突起表面与基板的接触面积来极力减少基板的背面与基体的表面之间的颗粒、污染物的产生。
3、另外，专利文献2公开了一种基板保持装置，为了对翘曲的基板进行平面矫正，将形成有多个销状凸部的区域划分为中心区域和外周区域，通过将中心区域的深度形成得比外周区域深，从而减小中心区域处的真空排气的空气阻力，提高外周部处的吸附力，由此吸附翘曲的基板。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开平10-242255号公报
7、专利文献2：日本特开2011-114238号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、被吸附的基板不一定是平面，有时也具有挠曲、翘曲等变形，即使是这样的基板也需要平坦地吸附。近年来，对基板的平面度的要求基准提高，或出现了平坦性良好地吸附具有比较大的翘曲的基板的要求，存在改善的余地。
3、但是，在专利文献1所记载的基板保持装置中，有时不能对这样的基板赋予充分的吸附力而不充分。另外，在吸附以凹状翘曲的基板的情况下，
4、本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种基板保持构件，即使是具有挠曲、翘曲的基板也能够平坦性良好地吸附。
5、用于解决课题的技术方案
6、(1)为了实现上述目的，本专利技术的基板保持构件采取以下的技术方案。即，本专利技术的应用例的基板保持构件的特征在于，具备：圆形平板状的基体，具有在上表面开口的多个通气孔；多个销状凸部，从所述基体的上表面向上方突出地形成；及环状凸部，以包围多个所述销状凸部的方式从所述基体的上表面向上方突出地形成，配置于比假想圆靠所述基体的径向外侧的外周区域的所述销状凸部的至少一部分是由第一凸要素和第二凸要素形成的第一销状凸部，所述假想圆通过最靠近所述基体的上表面的外周的所述通气孔且与所述基体的中心同心，所述第一凸要素从所述基体的上表面向上方突出，所述第二凸要素从所述第一凸要素的上端面向上方突出，且具有面积比所述第一凸要素的上端面小的上端面。
7、这样，通过将配置于比通气孔靠外侧的外周区域的多个销状凸部的至少一部分设为第一销状凸部(两段销)，即使是具有挠曲、翘曲的基板也能够平坦性良好地吸附，并且能够降低因产生颗粒而导致的基板的污染、因夹入颗粒而导致的平面度恶化的风险。
8、(2)另外，在上述(1)的应用例的基板保持装置中，其特征在于，配置于比所述外周区域靠所述基体的径向内侧处的所述销状凸部是从所述基体的上表面向上方突出并形成为柱状的第二销状凸部。
9、由此，在具有两段销的区域和不具有两段销的区域之间发挥阻挡效果，能够进一步提高外周区域及中心区域的负压力，即使是具有大的挠曲、翘曲的基板也能够平坦性良好地吸附。
10、(3)另外，在上述(2)的应用例的基板保持装置中，其特征在于，所述第一销状凸部在所述外周区域形成在具有一定宽度的圆环状区域内，位于比所述圆环状区域靠所述基体的径向外侧处的所述销状凸部是所述第二销状凸部。
11、这样，通过将两段销限制在圆环状区域内，能够减少两段销的构成数量，由此能够进一步降低颗粒产生风险。
12、(4)另外，在上述(1)至(3)中任一应用例的基板保持构件中，其特征在于，所述销状凸部包括从所述基体的上表面向上方突出并形成为柱状的第二销状凸部，所述第一凸要素的上端面的最大直径比所述第二销状凸部的上端面的最大直径大。
13、由此，具有两段销的区域与不具有两段销的区域相比，流路空间足够狭窄，因此在基板的抽吸动作时，具有两段销的区域中的流速快，压力变低，从而负压量增加。其结果是，具有两段销的区域中的吸附力变大，即使是具有大的挠曲、翘曲的基板也能够平坦性良好地吸附。
14、(5)另外，在上述(1)至(4)中任一应用例的基板保持构件中，其特征在于，所述销状凸部包括从所述基体的上表面向上方突出并形成为柱状的第二销状凸部，所述第一销状凸部的上端面的面积与所述第二销状凸部的上端面的面积相等。
15、由此，由于在第一销状凸部和第二销状凸部处与基板抵接的面的面积相等，因此能够平衡性良好地支承基板。另外，具有两段销的区域与不具有两段销的区域相比，流路空间较窄，因此具有两段销的区域中的吸附力变大，能够平坦性良好地吸附具有翘曲的基板。另外，通过以相等的面积设计第一销状凸部和第二销状凸部，从而在对销表面进行研磨加工等时，载荷相等，容易调整销高度。
16、(6)另外，在上述(1)至(5)中任一应用例的基板保持构件中，其特征在于，从所述基体的上表面到多个所述销状凸部的上端面的距离为120μm以上且180μm以下，从所述基体的上表面到所述第一凸要素的上端面的距离为从所述基体的上表面到多个所述销状凸部的上端面的距离的0.4倍以上且0.6倍以下。
17、通过将销状凸部的高度和第一凸要素的高度设为上述的范围，能够补偿基于负压空间的体积调整的负压力的确保和凸部的强度这两方面。
18、(7)另外，在上述(1)至(6)中任一应用例的基板保持构件中，其特征在于，所述基体具有与所述通气孔连通且在下表面开口的槽部。
19、由此，能够将真空抽吸系统分为载物台和基体以及基体和基板这两个系统，由此能够通过与槽部连通的通气孔对基板载置面侧施加充分的负压力。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板保持构件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板保持构件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板保持构件，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板保持构件，其特征在于，
5.根据权利要求1至3中任一项所述的基板保持构件，其特征在于，
6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板保持构件，其特征在于，
7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板保持构件，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板保持构件，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的基板保持构件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板保持构件，其特征在于，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板保持构件，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：大谷内一彰，中村博行，
申请(专利权)人：日本特殊陶业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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