【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体技术，并且更具体地，涉及包括监测图案结构的半导体晶圆。
技术介绍
1、通过半导体集成工艺，可以在半导体晶圆上形成包括集成电路的多个半导体芯片区域。多个半导体芯片区域可以通过划道区域而彼此区分开。多个半导体芯片区域可以通过晶圆切割工艺彼此分离以被制造成多个半导体芯片。
2、半导体晶圆可以包括在相邻于半导体芯片区域的区域中形成的监测图案以监测在半导体芯片区域中执行的电路集成工艺。监测图案可以包括具有与形成在半导体芯片区域中的集成电路结构基本上相同的结构的监测结构。集成电路结构的结构完整性可以通过检查监测结构而不是集成电路结构来评估。
技术实现思路
1、根据本公开的实施例的半导体晶圆可以包括：监测图案结构，其设置在衬底之上；覆盖图案层，其覆盖衬底之上的部分监测图案结构；以及接触图案，其设置在覆盖图案层之上以在覆盖图案层之上延伸。
2、根据本公开的另一个实施例的半导体晶圆可以包括：监测图案结构，其设置在衬底之上的芯片区域之间的划道区域中；覆盖图案层，其...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层包括选择性地暴露所述监测图案结构的孔图案。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆，其中，所述孔图案具有圆形、椭圆形或多边形的平面形状。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层沿所述监测图案结构的边缘设置。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述监测图案结构被设置在位于所述衬底的多个芯片区域之间的划道区域中。
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层包括沟槽图案，所述沟槽图案在与所述划道区...
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层包括选择性地暴露所述监测图案结构的孔图案。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆，其中，所述孔图案具有圆形、椭圆形或多边形的平面形状。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层沿所述监测图案结构的边缘设置。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中，所述监测图案结构被设置在位于所述衬底的多个芯片区域之间的划道区域中。
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层包括沟槽图案，所述沟槽图案在与所述划道区域的宽度方向垂直的方向上延伸。
7.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其中，所述覆盖图案层包括在所述覆盖图案层的部分中沿与所述划道区域的宽度方向垂直的方向形成的凹槽。
8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其中，在形成所述凹槽的部分中的所述覆盖图案层的宽度小于未形成所述凹槽的其他部分中的所述覆盖图案层的宽度。
9.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其中，所述接触图案包括柱结构，所述柱结构设置在所述覆盖图案层的上表面上，并且沿与所述划道区域的宽度方向垂直的方向布置。
10.根据权利要求5所述的半导体晶圆，其中，所述接触图案包括壁结构，所述壁结构设置在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宪龙，曹亨根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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