【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料制备，特别涉及一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)是一种重要的耐高温、高强度陶瓷材料，在航空航天、光电子、石油化工等领域具有广泛应用。然而，传统的sic制备方法在孔隙控制方面存在一定的局限，sic产品中存在的孔隙会改变sic晶体的晶格常数和晶体结构，从而影响sic晶体的机械性能和热力学性能。因此注意控制孔隙的行程和扩散对sic产品的性能至关重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，用来解决
技术介绍
中提出的问题，方便推广。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，包括以下步骤：
4、步骤一：提供sic原料和特定添加剂；
5、步骤二：将sic原料和特定添加剂按照一定比例进行混合；
6、步骤三：在混合物中加入适量的溶剂，使其形成均匀的糊状物；
7、步骤四：将糊状物进行均匀压制，形成致密的坯体；
8、步骤五：将坯体进行热处理，使添加剂在高温条件下发生反应；
9、步骤六：经过热处理后的坯体进行烧结，得到孔隙控制良好的sic产品。
10、进一步的，所述特定添加剂为粘合剂；
11、所述粘合剂的组成为炭黑0.9-5％、硼0.2-1％、聚乙二醇4-10％、丙烯酰胺3-12％、聚乙烯醇树脂2-11％。
12、进
13、进一步的，所述热处理温度为2000℃。
14、进一步的，所述热处理所使用的设备为马弗炉。
15、进一步的，所述溶剂为水。
16、进一步的，所述sic原料和特定添加剂的比例为3∶1。
17、作为改进，本专利技术的有益效果为：
18、本专利技术提供一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，能够有效控制sic产品的孔隙结构，提高其密实性和力学性能，在保证成型稳定性和一致性的同时，能够有效提高干压成型的素坯强度，并能在烧结后保证sic产品无显性气孔，具备高致密度带来的卓越力学和热力学性能。
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1.一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述特定添加剂为粘合剂；
3.根据权利要求2所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述SiC原料为碳化硅微粉。
4.根据权利要求3所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述热处理温度为2000℃。
5.根据权利要求4所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述热处理所使用的设备为马弗炉。
6.根据权利要求1所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述溶剂为水。
7.根据权利要求1至6任一项所述的一种通过添加剂控制SiC产品孔隙的方法，其特征在于，所述SiC原料和特定添加剂的比例为3∶1。
【技术特征摘要】
1.一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，其特征在于，所述特定添加剂为粘合剂；
3.根据权利要求2所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，其特征在于，所述sic原料为碳化硅微粉。
4.根据权利要求3所述的一种通过添加剂控制sic产品孔隙的方法，其特征在于，所述热处...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡晓冉，何一旻，
申请(专利权)人：上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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