System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 湿法制备异质结亚微米绒面的方法、硅片、太阳能电池技术_技高网

湿法制备异质结亚微米绒面的方法、硅片、太阳能电池技术

技术编号:41135651 阅读:6 留言:0更新日期:2024-04-30 18:07
本公开提供一种湿法制备异质结亚微米绒面的方法,包括:使用KOH和H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;的混合溶液对硅片进行清洗;使用抛光添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行抛光;使用KOH溶液对硅片进行损伤清洗;以及使用制绒添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行制绒。本公开还提供一种通过前述方法制得的硅片,所述硅片的绒面中金字塔的平均尺寸小于1μm,平均高度小于0.5μm。本公开还提供一种太阳能电池。通过本公开方法所制得的硅片能够在保持低减重的同时获得尺寸小且均匀的绒面,使得所述硅片具有低反射率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及太阳能电池,特别涉及一种湿法制备异质结亚微米绒面的方法、一种硅片、一种太阳能电池。


技术介绍

1、近几年,全球光伏界创新性定义全黑美学,国内外光伏市场都将目光投向了全黑美学组件。具有“高颜值、高功率、高可靠性”优势的全黑系列组件已在多场国际性展会上有过亮相,受到了大量关注,国外客户纷纷驻足寻求合作。全黑组件体现出对产品品质与美学的尊重,也适合与行业领先的大尺寸、半片、高效perc等组件技术叠加,综合提高发电量,实现低内耗、高功率等目的使组件更具性价比。全黑组件采用超小绒面电池制绒技术,可以降低电池的反射率,从而提高太阳光的利用率以及提升组件功率。

2、然而,采用目前的黑硅制绒方法制得的多晶黑硅绒面,其表面积和均匀性都有待提升,而且制绒反应过程也不易控制。鉴于此,本专利提供一种改进的湿法工艺用于制备亚微米金字塔绒面。


技术实现思路

1、本公开提供一种湿法制备异质结亚微米绒面的方法,包括:

2、使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行清洗;

3、使用抛光添加剂和koh的混合溶液对硅片进行抛光;

4、使用koh溶液对硅片进行损伤清洗;以及

5、使用制绒添加剂和koh的混合溶液对硅片进行制绒。

6、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述koh和h2o2的混合溶液中koh浓度为0.05%-0.15%,h2o2浓度为2%-3%。

7、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述抛光添加剂和koh的混合溶液中抛光添加剂浓度为0.05%-0.3%,koh浓度为1%-3%。

8、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述koh溶液浓度为0.01-0.03%。

9、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述制绒添加剂和koh的混合溶液中制绒添加剂浓度为0.5%-1%,koh浓度为1%-5%。

10、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行清洗的步骤包括:

11、在15-25℃温度范围内使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行清洗;以及

12、在60-70℃温度范围内使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行清洗。

13、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用抛光添加剂和koh的混合溶液对硅片进行抛光的步骤。

14、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用koh溶液对硅片进行损伤清洗的步骤。

15、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用制绒添加剂和koh的混合溶液对硅片进行制绒的步骤。

16、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在制绒步骤之后还包括:

17、使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行碱洗;

18、使用hf和hcl的混合溶液对硅片进行打磨;以及

19、使用hf和hcl的混合溶液对硅片进行酸洗。

20、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述抛光添加剂包含羧酸盐、低泡类表面活性剂。

21、本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述制绒添加剂包括绒面催化剂和/或绒面缓蚀剂。

22、本公开还提供一种硅片,所述硅片具有根据本公开所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法制备得到的绒面,所述绒面中金字塔的平均尺寸小于1μm,平均高度小于0.5μm。

23、本公开还提供一种太阳能电池,包括根据本公开提供的湿法制备异质结亚微米绒面方法制得的硅片。

24、根据本公开所述方法制备得到的硅片在多次清洁、抛光和制绒处理之后并未造成更大的减重,并且能够获得尺寸小且均匀的绒面,使得硅片具有更低的反射率。

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【技术保护点】

1.一种湿法制备异质结亚微米绒面的方法,包括:

2.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述KOH和H2O2的混合溶液中KOH浓度为0.05%-0.15%,H2O2浓度为2%-3%。

3.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述抛光添加剂和KOH的混合溶液中抛光添加剂浓度为0.05%-0.3%,KOH浓度为1%-3%。

4.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述KOH溶液浓度为0.01-0.03%。

5.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述制绒添加剂和KOH的混合溶液中制绒添加剂浓度为0.5%-1%,KOH浓度为1%-5%。

6.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述使用KOH和H2O2的混合溶液对硅片进行清洗的步骤包括:

7.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用抛光添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行抛光的步骤。

8.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用KOH溶液对硅片进行损伤清洗的步骤。

9.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-90℃温度范围内实施所述使用制绒添加剂和KOH的混合溶液对硅片进行制绒的步骤。

10.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述抛光添加剂包含羧酸盐、低泡类表面活性剂。

11.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述制绒添加剂包括绒面催化剂和/或绒面缓蚀剂。

12.一种硅片,所述硅片具有根据权利要求1至11中任意一项所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法制备得到的绒面,所述绒面中金字塔的平均尺寸小于1μm,平均高度小于0.5μm。

13.一种太阳能电池,包括根据权利要求12所述的硅片。

...

【技术特征摘要】

1.一种湿法制备异质结亚微米绒面的方法,包括:

2.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述koh和h2o2的混合溶液中koh浓度为0.05%-0.15%,h2o2浓度为2%-3%。

3.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述抛光添加剂和koh的混合溶液中抛光添加剂浓度为0.05%-0.3%,koh浓度为1%-3%。

4.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述koh溶液浓度为0.01-0.03%。

5.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述制绒添加剂和koh的混合溶液中制绒添加剂浓度为0.5%-1%,koh浓度为1%-5%。

6.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,所述使用koh和h2o2的混合溶液对硅片进行清洗的步骤包括:

7.根据权利要求1所述湿法制备异质结亚微米绒面的方法,其中,在80-...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘娟
申请(专利权)人:江苏润阳世纪光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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