【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于传感器，具体涉及超声波传感器和制备超声波传感器的方法。
技术介绍
1、在超声探测技术中，一般是采用聚偏氟乙烯(pvdf)等压电材料接受电信号，产生震动发出超声波，超声波传播过程中遇到障碍物，被反射回来。反射回来的超声波传输到pvdf等压电材料后，受压产生电信号，根据电信号就可以拾取出障碍物的形貌。
2、由于pvdf压电系数d33的值较低，超声回波在pvdf压电层产生电荷低、电压低等原因，使回波拾取效率低，信号探测灵敏度低，且敏感元件的运作需要外围供电。而且，现有的超声波传感器中需要制作tft结构，结构复杂。
3、因此，有必要对超声波传感器进行改进。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上改善上述技术问题的至少之一。
2、为改善上述技术问题，本专利技术提供一种超声波传感器，所述超声波传感器包括基板、以及位于所述基板一侧的功能层；所述功能层包括超声波发声单元和自发电模块；所述自发电模块包括多个阵列排布的子发电单元，相邻的所述子发电单元之间设有阻隔层；所述子发电单元输出的电压与所述子发电单元受到的压力相关，且所述子发电单元被配置为向所述超声波发声单元的传感层发射电信号。由此，本专利技术的超声波传感器能够自体供电，不需外围提供电源，本专利技术的方案增加了超声回波信号的拾取，提高了超声回波拾取的灵敏度和可探测性，可改善现有的超声拾取电信号过低的问题。此外，本专利技术的超声波传感器中不需要设置tft结构，具有结构简单的优点。
<...【技术保护点】
1.一种超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器包括基板、以及位于所述基板一侧的功能层；
2.根据权利要求1的所述超声波传感器，其特征在于，形成所述阻隔层的材料为树脂。
3.根据权利要求1的所述超声波传感器，其特征在于，所述子发电单元包括：
4.根据权利要求3的所述超声波传感器，其特征在于，所述子发电单元满足以下条件的至少之一：
5.根据权利要求3的所述超声波传感器，其特征在于，所述超声波发声单元的传感层包括压电膜层，所述第一绝缘层具有和所述第二电极连通的输出端，所述输出端与所述压电膜层相连，以将所述电信号发射至所述压电膜层。
6.根据权利要求5的所述超声波传感器，其特征在于，形成所述压电膜层的材料包括聚偏氟乙烯。
7.根据权利要求5的所述超声波传感器，其特征在于，所述超声波发声单元包括第三电极、所述压电膜层和第四电极，所述第四电极与所述输出端接触。
8.根据权利要求5的所述超声波传感器，其特征在于，所述超声波发声单元包括第三电极和所述压电膜层，所述压电膜层与所述输出端接触。
9.根
10.根据权利要求1所述的超声波传感器，其特征在于，所述超声波发声单元在所述基板上的正投影与所述自发电单元在所述基板上的正投影至少部分重叠。
11.一种制备超声波传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，多个子发电单元通过以下方法制备：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成多个间隔设置的第一电极包括：
...【技术特征摘要】
1.一种超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器包括基板、以及位于所述基板一侧的功能层；
2.根据权利要求1的所述超声波传感器，其特征在于，形成所述阻隔层的材料为树脂。
3.根据权利要求1的所述超声波传感器，其特征在于，所述子发电单元包括：
4.根据权利要求3的所述超声波传感器，其特征在于，所述子发电单元满足以下条件的至少之一：
5.根据权利要求3的所述超声波传感器，其特征在于，所述超声波发声单元的传感层包括压电膜层，所述第一绝缘层具有和所述第二电极连通的输出端，所述输出端与所述压电膜层相连，以将所述电信号发射至所述压电膜层。
6.根据权利要求5的所述超声波传感器，其特征在于，形成所述压电膜层的材料包括聚偏氟乙烯。
7.根据权利要求5的所述超声波传感器，其特征在于，所述超声波...
【专利技术属性】
技术研发人员：王大军，袁广才，姚琪，闫俊伟，曹占锋，顾仁权，吴慧利，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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