一种氮化物半导体激光器芯片制造技术

本发明专利技术提出了一种氮化物半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层和下波导层均具有电子有效质量分布、自发极化系数分布、弹性系数分布和禁带宽度分布特性。本发明专利技术在氮化物半导体激光器芯片的上波导层和下波导层中设计特定的电子有效质量分布、自发极化系数分布、弹性系数分布和禁带宽度分布特性，从而获得折射率差异大的上波导层和下波导层，提升激光水平扩展角，实现低纵横比的远场FFP图像和高扭结水平，并减少杂散光和泄漏光，提升远场FFP图像质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种氮化物半导体激光器芯片。

技术介绍

1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态氮化物半导体激光器芯片具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。

2、激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：

3、1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；

4、2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；

5、3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化物半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和下波导层均具有电子有效质量分布、自发极化系数分布、弹性系数分布和禁带宽度分布特性。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的电子有效质量分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的自发极化系数分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的弹性系数分布具有常...

【技术特征摘要】

1.一种氮化物半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和下波导层均具有电子有效质量分布、自发极化系数分布、弹性系数分布和禁带宽度分布特性。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的电子有效质量分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的自发极化系数分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的弹性系数分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的禁带宽度分布具有常数函数或一次函数曲线分布；

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层和下波导层还具有in/al元素比例分布特性；

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体激光器芯片，其特征在于，所述上波导层的i...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，胡志勇，李水清，张江勇，张钰，陈婉君，蔡鑫，张会康，李晓琴，刘紫涵，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：