一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法。本发明专利技术通过在反应炉管的顶部和底部分别增设氮气管路，在隧穿氧化层和多晶硅沉积过程中进行氮气吹扫，使工艺气体顺利进入相邻两硅片之间，从而在同一硅片的正反面沉积相同厚度的氧化硅和多晶硅，进而有利于后续采用简单的清洗工艺将正面的氧化硅和多晶硅进行充分去除，且不会破坏绒面和PN结，提高了清洗工艺的合格率，保证了TOPCon电池的电池效率，在不影响产能以及不增加成本的前提下，有效提高了TOPCon电池的生产效率，适合大规模生产制备TOPCon电池，应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法。

技术介绍

1、太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件，其发电原理是基于半导体pn结的光生伏特效应。topcon单晶硅太阳能电池制备过程中需要在电池背面制作一层隧穿氧化层和多晶硅层(poly层)，二者共同形成了钝化接触结构，进而极大降低金属接触复合电流，提高电池的转换效率。目前制备多晶硅钝化层的主流方式有lpcvd、pecvd和pvd法。其中，lpcvd法制备得到的多晶硅层均匀性和致密性均较好，因此，lpcvd法被广泛应用于太阳能电池镀膜中。

2、目前，采用lpcvd法在太阳能电池背面制备多晶硅层主要有两种工艺：(1)在lpcvd石英舟内单插硅片，即在硅片的背面和正面均制备多晶硅层，该方法效率低，且由于topcon电池正面并不需要多晶硅层，因此，需要将正面的多晶硅层清洗去除，增加了额外的清洗原料成本。(2)在lpcvd石英舟内双插硅片，因两个硅片间存在缝隙，硅片的正面不可避免地也会产生相应绕镀问题，同样需要对绕镀面进行去除。但是，在去除正面的绕镀面时，由于绕本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

3.如权利要求2所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：S2中，所述氧气的流量为5slm～20slm，氧化的时间为20min～50min。

4.如权利要求3所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：S2中，通入氮气的温度为550℃～650℃，流量为1slm～10slm。

5.如权利要求2所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：S3中，所述硅烷气...

【技术特征摘要】

1.一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

3.如权利要求2所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：s2中，所述氧气的流量为5slm～20slm，氧化的时间为20min～50min。

4.如权利要求3所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：s2中，通入氮气的温度为550℃～650℃，流量为1slm～10slm。

5.如权利要求2所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：s3中，所述硅烷气体的流量为100sccm～800sccm，沉积多晶硅的时间为10min～30min。

6.如权利要求5所述的隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法，其特征在于：s3中，通入氮气的温度为550℃～650℃，流量为1slm～10slm。

7.如权利要求1～6任一项所述的隧穿氧化层钝化接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：马红娜，史金超，郎芳，王子谦，于波，赵学玲，张伟，潘明翠，翟金叶，王红芳，宾鹏帅，周渊博，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：