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本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法。本发明通过在反应炉管的顶部和底部分别增设氮气管路，在隧穿氧化层和多晶硅沉积过程中进行氮气吹扫，使工艺气体顺利进入相邻两硅片之间，从而在同一硅片的正反面沉积相同厚度的...
该专利属于英利能源发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英利能源发展有限公司授权不得商用。

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