压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构及工艺制造技术

本发明专利技术涉及电子产品封装，公开一种压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构及工艺，以减少封装尺寸的同时确保可靠性。结构包括：陶瓷管壳底面形成与管壳侧壁对外焊接点连接的有金属化图形；硅衬底在三边设置有传输ASIC电路输出信号用的直筒状的金属通孔；敏感结构在与硅衬底未设置金属通孔对位的一边设有向ASIC电路正方向传输输出信号用的PAD点，与ASIC电路以阳极键合方式直接进行信号传输；ASIC电路用于将一边所接收的敏感结构输出的模拟信号转化成数字信号处理后经另外三边贯穿硅衬底、敏感结构和ASIC电路的金属通孔输出；金属化陶瓷盖板用于与陶瓷管壳形成包覆硅衬底、敏感结构和ASIC电路的密封结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子产品封装，尤其涉及一种压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构及工艺。

技术介绍

1、压阻式加速度计的工作原理是根据所经历的加速度改变其电阻。可以测量加速度的变化以了解传感器经历的加速度率。其在高振幅下应用广泛，例如，可应用车辆碰撞测试和武器测试中；从而也都其封装体积和可靠性产生了更严格的要求。

2、在压阻式加速度计中，敏感结构中的传感器输出的是模拟信号，asic电路输出的是数字信号；而且敏感结构通常采用体硅工艺，asic电路则是采用面硅工艺，即使两者同为硅材料存在具有阳极键合的基础，业内一般也只会做粘接而不会使用阳极键合。进而使得：如何与管壳进行配合以大幅降低封装体积并提高整体结构的可靠性更是成为技术难点。

3、与此同时，mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)器件由于其微型化，在圆片级封装后常需要金丝键合实现敏感结构与转接板的连接，再通过导线实现对外输出。传统方法不仅耗时，而且受到工艺人员水平的影响，可能会出现安装差异，键合强度不一致等情况。目前常见的asic电路与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，敏感结构在梁上通过重离子掺杂形成电阻，使用磁控溅射形成金属导线。

3.一种用于实现权利要求1或2所述压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构的工艺，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，敏感结构在梁上通过重离子掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦静静，任延超，鲁纯，王文娇，
申请(专利权)人：湖南云箭集团有限公司，
类型：发明
国别省市：