【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于通过阻焊坝使用室温硫化(room-temperature-volcanizing,rtv)材料以提高运动传感器的稳健性的实施例。
技术介绍
1、传统的半导体技术在相应的运动传感器装置的制造过程中利用晶粒黏结薄膜(die attach film,daf)将半导体晶粒(die)及/或芯片(chip)连接至衬底、电路板或其他晶粒。然而，上述晶粒黏结薄膜直接将已经施加到运动传感器装置的机械应力(例如，通过温度及/或力)传递到半导体晶粒。因此，传统的半导体技术具有一些缺点，其中一些可参考本文中描述的各种实施例得知。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种传感器封装件，包括：
2.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该第一半导体晶粒或该第二半导体晶粒包括重分布层电路或互补金属氧化物半导体电路。
3.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该第一半导体晶粒或该第二半导体晶粒包括微机电系统装置。
4.如权利要求1所述的传感器封装件，还包括附接至该单体晶粒的第三半导体晶粒。
5.如权利要求1所述的传感器封装件，还包括设置在该衬底的该顶部上的第三半导体晶粒。
6.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该限定区域的边界包括该多个阻焊坝。
7.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，在该单体晶粒附接至该限定区域之后，基于限定施加热量及限定施加温度，固化该室温硫化材料，以获得包括限定弹性的该室温硫化材料的限定固体状态。
8.如权利要求7所述的传感器封装件，其中，在该单体晶粒附接至该限定区域之后，该室温硫化材料基于该室温硫化材料的期望的胶合线厚度而被固化。
9.如权利要求7所述的传感器封装件，其中，在展现该室温硫化材料的限定黏度的该室温硫化材料的
10.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该多个阻焊坝包括布置成两列图案的一对阻焊坝，且其中，该单体晶粒附接在该对阻焊坝之间。
11.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该多个阻焊坝布置成矩形图案，且其中，该单体晶粒附接在该矩形图案中。
12.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该多个阻焊坝包括自该衬底的该顶部的限定高度。
13.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该传感器封装件的稳健性对应于该传感器封装件的翻滚测试或该传感器封装件的坠落测试中的至少一者。
14.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该室温硫化材料包括等于或小于负110℃的玻璃转化温度。
15.如权利要求14所述的传感器封装件，其中，用于执行该翻滚测试及该坠落测试的该传感器封装件的工作温度范围为大于或等于-40℃且小于或等于85℃。
16.如权利要求1所述的传感器封装件，还包括形成在该单体晶粒上方的模塑料。
17.一种用于制造传感器封装件的方法，包括：
18.如权利要求17所述的用于制造传感器封装件的方法，其中，该衬底的形成还包括：
19.如权利要求17所述的用于制造传感器封装件的方法，其中，该衬底的形成还包括：
20.如权利要求17所述的用于制造传感器封装件的方法，其中，该室温硫化材料的固化包括：
21.一种传感器封装件，包括：
22.如权利要求21所述的传感器封装件，其中，该衬底包括至少一个通孔。
23.如权利要求22所述的传感器封装件，其中，该第二半导体晶粒设置在该至少一个通孔上方。
24.如权利要求21所述的传感器封装件，还包括：附接至该衬底的盖体。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种传感器封装件，包括：
2.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该第一半导体晶粒或该第二半导体晶粒包括重分布层电路或互补金属氧化物半导体电路。
3.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该第一半导体晶粒或该第二半导体晶粒包括微机电系统装置。
4.如权利要求1所述的传感器封装件，还包括附接至该单体晶粒的第三半导体晶粒。
5.如权利要求1所述的传感器封装件，还包括设置在该衬底的该顶部上的第三半导体晶粒。
6.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该限定区域的边界包括该多个阻焊坝。
7.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，在该单体晶粒附接至该限定区域之后，基于限定施加热量及限定施加温度，固化该室温硫化材料，以获得包括限定弹性的该室温硫化材料的限定固体状态。
8.如权利要求7所述的传感器封装件，其中，在该单体晶粒附接至该限定区域之后，该室温硫化材料基于该室温硫化材料的期望的胶合线厚度而被固化。
9.如权利要求7所述的传感器封装件，其中，在展现该室温硫化材料的限定黏度的该室温硫化材料的限定黏性状态期间，该多个阻焊坝防止该室温硫化材料流动越过该多个阻焊坝。
10.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该多个阻焊坝包括布置成两列图案的一对阻焊坝，且其中，该单体晶粒附接在该对阻焊坝之间。
11.如权利要求1所述的传感器封装件，其中，该多个阻焊坝布置成矩形图案，且其中，...
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