System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 基板制造技术_技高网

基板制造技术

技术编号:41130591 阅读:8 留言:0更新日期:2024-04-30 17:59
本发明专利技术提供一种基板,其具有电极和形成于该电极上的镀覆层,上述镀覆层从电极侧起依次包含Ni/Cu/Sn镀覆层,在上述Cu层与Sn层的界面中存在Cu和Sn的金属间化合物层,上述金属间化合物层中包含孔洞。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种基板


技术介绍

1、从提高焊料附着性、电气可靠性、耐腐蚀性等观点考虑,可以在基板上的电极的表面形成ni/cu/sn层。例如,专利文献1中记载了如下内容:在铜或铜合金部件的表面形成含有ni的层,在该含有ni的层上形成含有cu的层,在该含有cu的层的上形成含有sn的层,并使含有cu的层的厚度与含有sn的层的厚度之比(cu/sn厚度比)为2以下。另外,专利文献2中记载了如下内容:在基板的焊盘上形成镀ni层,并在其上形成镀cu层,除去镀cu层上的第1空气氧化被膜,将镀cu层用sn置换而形成暂时置换镀sn层,剥离暂时置换镀sn层,除去以均匀的厚度形成在镀cu层上的第2空气氧化被膜,再次将镀cu层用sn置换而形成具有良好平坦性的置换镀sn层。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2004-300524号公报

5、专利文献2:日本特开2003-282616号公报


技术实现思路

1、具有如专利文献1和2所记载的构成的电极,在落下时等情况下的抗冲击性有可能不充分。本公开的目的在于提供一种落下时等情况下的电极部分的抗冲击性高的基板。

2、本公开包含以下的方式。

3、[1]一种基板,具有电极和形成于该电极上的镀覆层基板,

4、上述镀覆层从电极侧起依次包含ni/cu/sn镀覆层,

5、在上述cu层与sn层的界面存在cu和sn的金属间化合物层,

6、上述金属间化合物层中包含孔洞。

7、[2]根据上述[1]所述的基板,其中,上述孔洞的平均直径为0.01μm~1.0μm。

8、[3]根据上述[1]或[2]所述的基板,其中,上述孔洞的直径为1.0μm以下。

9、[4]根据上述[1]~[3]中任一项所述的基板,其中,上述孔洞的直径为0.01μm~1.0μm。

10、[5]根据上述[1]~[4]中任一项所述的基板,其中,上述孔洞的个数为30个~1000个/4μm宽度。

11、[6]根据上述[1]~[5]中任一项所述的基板,其中,上述金属间化合物层中的cu:sn(摩尔比)为0.6:1.4~1.4:0.6。

12、[7]根据上述[1]~[6]中任一项所述的基板,其中,cu层中的cu的取向度低于电解镀cu。

13、[8]根据上述[1]~[7]中任一项所述的基板,其中,cu层为无电镀层。

14、根据本公开,通过在镀覆层中使孔洞存在而提高抗冲击性。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板,具有电极和形成于该电极上的镀覆层,

2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述孔洞的平均直径为0.01μm~1.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的基板,其中,所述孔洞的直径为1.0μm以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板,其中,所述孔洞的直径为0.01μm~1.0μm。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板,其中,所述孔洞的个数为30个~1000个/4μm宽度。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板,其中,所述金属间化合物层中的Cu:Sn以摩尔比计为0.6:1.4~1.4:0.6。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板,其中,Cu层中的Cu的取向度低于电解镀Cu。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的基板,其中,Cu层为无电镀层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板,具有电极和形成于该电极上的镀覆层,

2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述孔洞的平均直径为0.01μm~1.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的基板,其中,所述孔洞的直径为1.0μm以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板,其中,所述孔洞的直径为0.01μm~1.0μm。

5.根据权利要求1~4中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:山本和志井上光典水白雅章
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1