【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种过温保护线性电流调节电路及芯片。
技术介绍
1、传统的基准电流电路是通过运放以及mos管将电阻两端的电压钳位到基准电压的，产生的输出电流通常保持不变甚至增大。
2、如图4所示，图4为传统基准电流电路的电子电路图。其中，第二运算放大器amp2的正向输入端输入基准电压vref；第二运算放大器amp2的反向输入端、零温度系数电阻r3的一端与第五nmos管n5的源极连接；第二运算放大器amp2的输出端连接第五nmos管n5的栅极；第五nmos管n5的漏极输入传统基准电流电路产生的输出电流iout；零温度系数电阻r3的另一端接地，输出电流iout的电流值保持为vref/r3。
3、然而，在一些电路应用中，需要达到产生的输出电流随温度升高而线性降低的目的以防止芯片温度过高影响芯片寿命。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种过温保护线性电流调节电路，旨在达到产生的输出电流随温度升高而线性降低的目的。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种过温保护线性电流调节电路，应用于芯片上，所述过温保护线性电流调节电路包括：
3、电源输入端；
4、第一基准电压输入端，所述第一基准电压输入端用于输入第一基准电压；
5、过温信号输入端，所述过温信号输入端用于输入过温信号；
6、基准电流电路，所述基准电流电路的电源端与所述电源输入端连接；所述基准电流电路的电压输入端与所述第一基准电压输
7、电流调节电路，所述电流调节电路的电源端与所述电源输入端连接，所述电流调节电路的信号输入端与所述过温信号输入端连接；所述电流调节电路的控制端与所述基准电流电路的受控端连接；所述电流调节电路用于接收所述过温信号，并根据所述过温信号调节所述输出电流的电流值。
8、可选地，所述基准电流电路包括第一运算放大器、第一nmos管、正温度系数电阻与负温度系数电阻；
9、其中，所述第一运算放大器的正相输入端与所述第一基准电压输入端连接；所述第一运算放大器的电源正极与所述电源输入端连接，所述第一运算放大器的电源负极接地；所述第一运算放大器的输出端与所述第一nmos管的栅极连接；所述第一运算放大器的反相输入端、所述第一nmos管的源极与所述正温度系数电阻的一端连接；所述正温度系数电阻的另一端连接所述负温度系数电阻的一端；所述负温度系数电阻的另一端接地；所述正温度系数电阻的温度系数与所述负温度系数电阻的温度系数互补；所述第一nmos管的漏极用于输入所述输出电流。
10、可选地，所述过温信号输入端包括第一过温信号输入端与第二过温信号输入端；所述第一过温信号输入端用于输入第一过温信号；所述第二过温信号输入端用于输入第二过温信号；所述第一过温信号与所述第二过温信号是互为反相的过温信号；所述电流调节电路包括：
11、第一开关电路，所述第一开关电路的第一端与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第一开关电路的第二端与所述负温度系数电阻的一端连接；所述第一开关电路的受控端与所述第一过温信号输入端连接；所述第一开关电路用于接收所述第一过温信号以控制所述正温度系数电阻与所述负温度系数电阻之间的通路处于导通/关断状态；
12、第二开关电路，所述第二开关电路的第一端与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第二开关电路的受控端与所述第二过温信号输入端连接；
13、调节电路，所述调节电路与所述第二开关电路的第二端连接；所述调节电路用于调节所述输出电流的电流值；
14、所述第二开关电路用于接收所述第二过温信号以控制所述正温度系数电阻与所述调节电路之间的通路处于导通/关断状态。
15、可选地，所述调节电路包括第一电流源、第一三极管、第二三极管、第二nmos管；
16、其中，所述第一电流源的输入端连接所述电源输入端；所述第一电流源的输出端、所述第一三极管的集电极、所述第一三极管的基极与所述第二nmos管的栅极连接；所述第二nmos管的漏极连接所述第二开关电路的第二端；所述第二nmos管的源极接地；所述第一三极管的发射极、所述第二三极管的集电极与所述第二三极管的基极连接；所述第二三极管的发射极接地。
17、可选地，所述第一过温信号输入端在所述芯片超过预设温度值时，输出所述第一过温信号以控制所述正温度系数电阻与所述调节电路之间的通路处于导通状态；其中，当所述芯片处于所述预设温度值时，所述第二nmos管的漏极与所述第二nmos管的源极之间的阻值，和所述负温度系数电阻的阻值相等。
18、可选地，所述过温保护线性电流调节电路还包括过温检测电路；所述过温检测电路的输出端与所述过温信号输入端连接；所述过温检测电路的电源端与所述电源输入端连接；所述过温检测电路用于检测所述芯片的温度，并输出所述过温信号至所述过温信号输入端。
19、可选地，所述过温检测电路包括第二电流源、第三三极管、电压比较器、第二基准电压输入端、第一反相器、第二反相器、第一过温信号输出端与第二过温信号输出端；
20、其中，所述电压比较器的正相输入端与所述第二基准电压输入端连接；所述电压比较器的电源正极与所述电源输入端连接，所述电压比较器的电源负极接地；所述电压比较器的输出端与所述第一反相器的一端连接；所述电压比较器的反相输入端、所述第三三极管的基极、所述第三三极管的集电极与所述第二电流源的输出端连接；所述第二电流源的输入端连接所述电源输入端；所述第三三极管的发射极接地；所述第一反相器的另一端、所述第二反相器的一端与所述第一过温信号输出端连接；所述第二反相器的另一端与所述第二过温信号输出端连接。
21、可选地，所述第一开关电路为第三nmos管，所述第三nmos管的漏极与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第三nmos管的源极与所述负温度系数电阻的一端连接；所述第一开关电路的栅极与所述第一过温信号输入端连接。
22、可选地，所述第二开关电路为第四nmos管，所述第四nmos管的漏极与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第四nmos管的栅极与所述第二过温信号输入端连接；所述第四nmos管的源极与所述调节电路连接。
23、本专利技术还提出一种芯片，所述芯片包括如上所述的过温保护线性电流调节电路。
24、本专利技术技术方案采用一种过温保护线性电流调节电路，包括电源输入端、第一基准电压输入端、过温信号输入端、基准电流电路与电流调节电路。其中，过温信号输入端可以输入过温信号。基准电流电路可以根据第一基准电压产生输出电流。电流调节电路可以接收过温信号，并根据过温信号调节输出电流的电流值。具体为，当芯片温度超过预设温度值时，调节电路接收过温信号并调节输出电流的电流值随着温度升高而线性降低。如此，本专利技术可以达到调节输出电流随温度升高而线性降低的目的，可以防止芯片温度过高而影响芯片寿命。
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1.一种过温保护线性电流调节电路，应用于芯片上，其特征在于，所述过温保护线性电流调节电路包括：
2.如权利要求1所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述基准电流电路包括第一运算放大器、第一NMOS管、正温度系数电阻与负温度系数电阻；
3.如权利要求2所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述过温信号输入端包括第一过温信号输入端与第二过温信号输入端；所述第一过温信号输入端用于输入第一过温信号；所述第二过温信号输入端用于输入第二过温信号；所述第一过温信号与所述第二过温信号是互为反相的过温信号；所述电流调节电路包括：
4.如权利要求3所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述调节电路包括第一电流源、第一三极管、第二三极管、第二NMOS管；
5.如权利要求4所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述第一过温信号输入端在所述芯片超过预设温度值时，输出所述第一过温信号以控制所述正温度系数电阻与所述调节电路之间的通路处于导通状态；其中，当所述芯片处于所述预设温度值时，所述第二NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极之间
6.如权利要求5所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述过温保护线性电流调节电路还包括过温检测电路；所述过温检测电路的输出端与所述过温信号输入端连接；所述过温检测电路的电源端与所述电源输入端连接；所述过温检测电路用于检测所述芯片的温度是否超过所述预设温度值，并输出所述过温信号至所述过温信号输入端。
7.如权利要求6所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述过温检测电路包括第二电流源、第三三极管、电压比较器、第二基准电压输入端、第一反相器、第二反相器、第一过温信号输出端与第二过温信号输出端；
8.如权利要求3所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述第一开关电路为第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第三NMOS管的源极与所述负温度系数电阻的一端连接；所述第一开关电路的栅极与所述第一过温信号输入端连接。
9.如权利要求3所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述第二开关电路为第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极与所述正温度系数电阻的另一端连接；所述第四NMOS管的栅极与所述第二过温信号输入端连接；所述第四NMOS管的源极与所述调节电路连接。
10.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括如权利要求1至9任一项所述的过温保护线性电流调节电路。
...【技术特征摘要】
1.一种过温保护线性电流调节电路，应用于芯片上，其特征在于，所述过温保护线性电流调节电路包括：
2.如权利要求1所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述基准电流电路包括第一运算放大器、第一nmos管、正温度系数电阻与负温度系数电阻；
3.如权利要求2所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述过温信号输入端包括第一过温信号输入端与第二过温信号输入端；所述第一过温信号输入端用于输入第一过温信号；所述第二过温信号输入端用于输入第二过温信号；所述第一过温信号与所述第二过温信号是互为反相的过温信号；所述电流调节电路包括：
4.如权利要求3所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述调节电路包括第一电流源、第一三极管、第二三极管、第二nmos管；
5.如权利要求4所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，所述第一过温信号输入端在所述芯片超过预设温度值时，输出所述第一过温信号以控制所述正温度系数电阻与所述调节电路之间的通路处于导通状态；其中，当所述芯片处于所述预设温度值时，所述第二nmos管的漏极与所述第二nmos管的源极之间的阻值，和所述负温度系数电阻的阻值相等。
6.如权利要求5所述的过温保护线性电流调节电路，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎刚，赵旻，陈嘉为，
申请(专利权)人：辰芯半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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