【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路短路保护领域，尤其涉及一种负载检测保护电路及装置。
技术介绍
1、随着半导体
的发展，各类功能的电源管理芯片开始应用于电子设备中，市面上的电子设备不仅正朝着小型化、便携化、轻量化发展，为了满足日益增加的多样化需求，而且电源管理芯片在使用过程中往往会存在输出负载阻值过低进而线路中短路，导致烧毁电池和芯片的问题，因此，提供一种能够缩小芯片体积及能够自动检测输出负载阻值并保护的负载检测保护电路及装置已成为该
人员急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种负载检测保护电路及装置，旨在解决电源管理芯片在使用过程中往往会存在输出负载阻值过低，进而导致线路中短路，并将烧毁电池和芯片的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种负载检测保护电路，所述负载检测保护电路包括：开关电路、检测保护电路、 驱动模块及第一三态反相器；
3、开关电路，所述开关电路的第一端用于接入电源端，所述开关电路的第二端用于接入负载；
4、检测保护电路，所述检测保护电路的输出端分别与所述第一三态反相器的第一信号输入端、所述驱动模块的信号输入端及所述开关电路的控制端电连接，所述检测保护电路的检测输入端与所述负载电连接，用于发送第一电平信号至所述第一三态反相器，还用于对所述负载的电压进行采样后检测是否超过预设值，输出工作信号后自动停止工作；
5、驱动模块，所述驱动模块的输出端与所述第一三态反相器的第二信号输入端电连接，用
6、第一三态反相器，所述第一三态反相器的信号输出端与所述开关电路的控制端电连接，用于根据所述第一电平信号及所述第二电平信号，控制所述开关电路的工作状态。
7、可选的，所述检测保护电路包括采样单元、比较单元、计时单元及重置单元；
8、重置单元，所述重置单元与所述比较单元及所述计时单元电连接，用于重置所述计时单元及所述比较单元的工作状态；
9、采样单元，所述采样单元与所述开关电路的控制端电连接，用于对所述负载进行电压采样；
10、比较单元，所述比较单元的输入端与所述负载进行电连接，所述比较单元的信号输出端与所述驱动模块的信号输入端电连接，所述比较单元与所述计时单元电连接，用于对所述负载的采样电压进行检测是否超过预设值，输出工作信号；
11、计时单元，用于在完成计时后，发送所述第一电平信号，并关闭所述检测保护电路。
12、可选的，所述检测保护电路还包括计时控制单元；
13、计时控制单元，所述计时控制单元的信号输出端与所述计时单元的信号输入端电连接，用于控制所述计时单元的工作状态。
14、可选的，所述开关电路设置为功率管。
15、可选的，所述采样单元包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、电流镜、第一nmos管及第二nmos管；所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第四pmos管、所述第五pmos管的源极分别与所述电源端电连接，所述第三pmos管的源极与所述第一pmos管的栅极及漏极电连接，所述第三pmos管的源极与所述第二pmos管的栅极电连接，所述第三pmos管的漏极与所述电流镜的第一端电连接，所述电流镜的第二端接地，所述第二pmos管的漏极与所述第一nmos管的源极及栅极电连接，所述第二pmos管的漏极还与所述第二nmos管的栅极电连接，所述第一nmos管的源极及所述第二nmos管的源极接地，所述第二nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极及所述第五pmos管的漏极电连接，所述第二nmos管的漏极还与所述第五pmos管的栅极及所述第六pmos管的源极电连接，所述第六pmos管的漏极与所述开关电路的控制端电连接。
16、可选的，所述比较单元包括第一运算放大器、第二运算放大器、第三nmos管、第一电阻、第二电阻及锁存d触发器；所述第一运算放大器的反相信号输入端与所述第三nmos管的源极及所述第一电阻的第一端电连接，所述第三nmos管的漏极与所述电源端电连接，所述第一运算放大器的信号输出端与所述第三nmos管的栅极电连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端及所述第二运算放大器的反相信号输入端电连接，所述第二运算放大器的信号输出端与所述锁存d触发器的d端电连接，所述锁存d触发器的q端与所述驱动模块电连接，所述锁存d触发器的clk端与所述第一三态反相器的信号输入端及所述计时单元电连接。
17、可选的，所述重置单元包括第一反相器及或门，所述第一反相器的输入端与电池电连接，所述第一反相器的输出端与所述锁存d触发器的reset端电连接及所述或门的第一信号输入端电连接，所述或门的信号输出端与所述计时单元电连接。
18、可选的，所述计时控制单元设置为第二三态反相器。
19、可选的，所述第一三态反相器包括第七pmos管、第八pmos管、第三nmos管、第四nmos管及第二反相器；所述第七pmos管的源极与所述电源端电连接，所述第七pmos管的栅极与所述检测保护电路电连接，所述第七pmos管的漏极与所述第八pmos管的源极电连接，所述第八pmos管的栅极与所述驱动模块电连接，所述第八pmos管的漏极与所述第三nmos管的漏极及所述开关电路的控制端电连接，所述第三nmos管的栅极与所述驱动模块电连接，所述第三nmos管的源极与所述第四nmos管的漏极电连接，所述第四nmos管的源极接地，所述第四nmos管的栅极与所述第二反相器的信号输出端电连接，所述第二反相器的信号输入端与所述检测保护电路电连接。
20、此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种电源装置，包括上述所述的负载检测保护电路。
21、本专利技术通过开关电路，所述开关电路的第一端用于接入电源，所述开关电路的第二端用于接入负载；检测保护电路，所述检测保护电路的输出端分别与所述第一三态反相器的第一信号输入端、所述驱动模块的信号输入端及所述开关电路的控制端电连接，所述检测保护电路的检测输入端与所述负载电连接，用于发送第一电平信号至所述第一三态反相器，还用于对所述负载的电压进行采样后检测是否超过预设值，输出工作信号后自动停止工作；驱动模块，所述驱动模块的输出端与所述第一三态反相器的第二信号输入端电连接，用于根据接收工作信号，发送第二电平信号至所述第一三态反相器，驱动所述负载；第一三态反相器，所述第一三态反相器的信号输出端与所述开关电路的控制端电连接，用于根据所述第一电平信号及所述第二电平信号，控制所述开关电路的工作状态。如此，在实际应用中，当所述检测保护电路通过控制所述开关电路导通，对所述负载进行电压采样，当检测所述负载电压超过预设值时，所述检测保护电路发出工作信号及第一电平信号，所述驱动模块接收所述工作信号后发出第二电平信号，所述第一三态反相器接收所述第一电平信号及所述第二电平信号后取消高阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种负载检测保护电路，其特征在于，所述负载检测保护电路包括：开关电路、检测保护电路、驱动模块及第一三态反相器；
2.如权利要求1所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述检测保护电路包括采样单元、比较单元、计时单元及重置单元；
3.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述检测保护电路还包括计时控制单元；
4.如权利要求1所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述开关电路设置为功率管。
5.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、电流镜、第一NMOS管及第二NMOS管；所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第四PMOS管、所述第五PMOS管的源极分别与所述电源端电连接，所述第三PMOS管的源极与所述第一PMOS管的栅极及漏极电连接，所述第三PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极电连接，所述第三PMOS管的漏极与所述电流镜的第一端电连接，所述电流镜的第二端接地，所述第二PMOS管的漏极与所述第一N
6.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述比较单元包括第一运算放大器、第二运算放大器、第三NMOS管、第一电阻、第二电阻及锁存D触发器；所述第一运算放大器的反相信号输入端与所述第三NMOS管的源极及所述第一电阻的第一端电连接，所述第三NMOS管的漏极与所述电源端电连接，所述第一运算放大器的信号输出端与所述第三NMOS管的栅极电连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端及所述第二运算放大器的反相信号输入端电连接，所述第二运算放大器的信号输出端与所述锁存D触发器的D端电连接，所述锁存D触发器的Q端与所述驱动模块电连接，所述锁存D触发器的CLK端与所述第一三态反相器的信号输入端及所述计时单元电连接。
7.如权利要求6所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述重置单元包括第一反相器及或门，所述第一反相器的输入端与电池电连接，所述第一反相器的输出端与所述锁存D触发器的reset端电连接及所述或门的第一信号输入端电连接，所述或门的信号输出端与所述计时单元电连接。
8.如权利要求3所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述计时控制单元设置为第二三态反相器。
9.如权利要求8所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述第一三态反相器包括第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第二反相器；所述第七PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第七PMOS管的栅极与所述检测保护电路电连接，所述第七PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源极电连接，所述第八PMOS管的栅极与所述驱动模块电连接，所述第八PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极及所述开关电路的控制端电连接，所述第三NMOS管的栅极与所述驱动模块电连接，所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极电连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第二反相器的信号输出端电连接，所述第二反相器的信号输入端与所述检测保护电路电连接。
10.一种电源装置，其特征在于，所述电源装置包括如权利要求1至9任一项所述的负载检测保护电路。
...【技术特征摘要】
1.一种负载检测保护电路，其特征在于，所述负载检测保护电路包括：开关电路、检测保护电路、驱动模块及第一三态反相器；
2.如权利要求1所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述检测保护电路包括采样单元、比较单元、计时单元及重置单元；
3.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述检测保护电路还包括计时控制单元；
4.如权利要求1所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述开关电路设置为功率管。
5.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述采样单元包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、电流镜、第一nmos管及第二nmos管；所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第四pmos管、所述第五pmos管的源极分别与所述电源端电连接，所述第三pmos管的源极与所述第一pmos管的栅极及漏极电连接，所述第三pmos管的源极与所述第二pmos管的栅极电连接，所述第三pmos管的漏极与所述电流镜的第一端电连接，所述电流镜的第二端接地，所述第二pmos管的漏极与所述第一nmos管的源极及栅极电连接，所述第二pmos管的漏极还与所述第二nmos管的栅极电连接，所述第一nmos管的源极及所述第二nmos管的源极接地，所述第二nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极及所述第五pmos管的漏极电连接，所述第二nmos管的漏极还与所述第五pmos管的栅极及所述第六pmos管的源极电连接，所述第六pmos管的漏极与所述开关电路的控制端电连接。
6.如权利要求2所述的负载检测保护电路，其特征在于，所述比较单元包括第一运算放大器、第二运算放大器、第三nmos管、第一电阻、第二电阻及锁存d触发器；所述第一运算放大器的反相信号输入端与所述第三nmos管的源...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎刚，赵旻，陈嘉为，
申请(专利权)人：辰芯半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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