【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体装置组合件，且更特定来说，涉及用于底填渗出控制的拒液涂层。
技术介绍
1、微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的极小组件的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的极小接合垫阵列。接合垫是供应电压、信号等等通过其来回传输于集成电路系统的外部电触点。在形成裸片之后，其“经封装”以将接合垫耦合到可更容易耦合到各种电力供应线、信号线及接地线的较大电端子阵列。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合垫电耦合到引线、球垫或其它类型的电端子的阵列及囊封裸片以保护其免受环境因素(例如水分、微粒、静电及物理冲击)。
技术实现思路
1、本公开的一方面涉及一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其具有安置在耦合表面处的多个接触垫；半导体裸片，其在所述多个接触垫处与所述衬底耦合；拒液材料环，其安置在所述耦合表面处且环绕所述半导体裸片的外围，所述拒液材料环抵抗通过底填材料的润湿；及所述底填材料，其至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间，所述底填材料包含介于所述半导体裸片与所述拒液材料环之间的填角。
2、本公开的另一方面涉及一种用于制造半导体装置组合件的方法，其包括：提供包含安置在耦合表面处的多个接触垫的衬底；在所述耦合表面处且环绕所述多个接触垫安置拒液材料环，所述拒液材料环抵抗通过底填材料的润湿；在所述多个接触垫处将半导体裸片与所述衬底耦合，使得所述半导体裸片的外围由所述拒液材料环环绕且所述半导体裸片电耦合到所述衬底；及至少在所述半导体裸片与所述衬底之
3、本公开的又一方面涉及一种衬底，其包括：上表面，其具有：多个接触垫；焊线垫；间隔件；及拒液材料环，其环绕所述多个接触垫且将所述多个接触垫与所述焊线垫及所述间隔件分离，所述拒液材料抵抗通过底填材料造成的润湿。
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1.一种半导体装置组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环形成环绕所述半导体裸片的所述外围的矩形环。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述半导体裸片的所述第一侧对应于其中分配所述底填材料的所述半导体裸片的一侧。
7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述第一距离大于所述第二距离。
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环的上表面与所述衬底的所述耦合表面相距小于10微米的高度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环与所述衬底的所述耦合表面大体上共面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环具有至少200微米的宽度。
11.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述底填材料
12.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料包括聚四氟乙烯PTFE。
13.一种用于制造半导体装置组合件的方法，其包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述半导体裸片与所述衬底之间安置所述底填材料包含在最远离所述拒液材料环的所述半导体裸片的一侧处分配所述底填材料。
15.根据权利要求13所述的方法，其中安置所述拒液材料环包含使用遮蔽、丝网印刷、三维印刷或分配。
16.根据权利要求13所述的方法，其中安置所述拒液材料环包含：
17.一种衬底，其包括：
18.根据权利要求17所述的衬底，其中所述拒液材料环具有小于10微米的厚度。
19.根据权利要求17所述的衬底，其中所述拒液材料具有至少200微米的宽度。
20.根据权利要求17所述的衬底，其中所述拒液材料包括聚四氟乙烯PTFE。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环形成环绕所述半导体裸片的所述外围的矩形环。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中：
6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述半导体裸片的所述第一侧对应于其中分配所述底填材料的所述半导体裸片的一侧。
7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述第一距离大于所述第二距离。
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环的上表面与所述衬底的所述耦合表面相距小于10微米的高度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环与所述衬底的所述耦合表面大体上共面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述拒液材料环具有至少200微米的宽度。
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