【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、随着对半导体装置的高性能、高速和/或多功能性的需求已经增加，半导体装置的集成密度已经增大。为了克服由于平面金属氧化物半导体(fet)的尺寸减小而导致的操作性质的限制，已经尝试开发诸如包括鳍型沟道的finfet和包括由栅极围绕的纳米片的环绕栅极型场效应晶体管的半导体装置。
技术实现思路
1、本公开的示例实施例在于提供一种具有改善的电性质和可靠性的半导体装置。
2、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；多个沟道层，在与基底的上表面垂直的方向上在有源图案上彼此间隔开，并且包括下沟道层和在下沟道层上的上沟道层；中间绝缘层，在下沟道层之中的最上面的下沟道层与上沟道层之中的最下面的上沟道层之间；栅极结构，与有源图案相交并且在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在多个沟道层上；下源/漏区，在栅极结构的第一侧上且连接到下沟道层；阻挡结构，在栅极结构的第二侧上并且连接到下沟道层；以及上源/漏区，在栅极结构的第一侧和第二侧中的至少一侧上，并且连接到上沟道层。
3、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；第一下沟道层，在有源图案的第一区域上并且在与基底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；第二下沟道层，在有源图案的第二区域上并且在与基底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；第三下沟道层，在有源图案的第三区域上并且在与基底的上表面垂直的方向
4、根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，其中，第一晶体管结构包括在基底上在与基底的上表面垂直的竖直方向上堆叠并且彼此间隔开的第一沟道层、在第一沟道层上的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧上并且连接到第一沟道层的第一侧表面的第一源/漏区、以及在第一栅电极的第二侧上覆盖第一沟道层的阻挡结构，其中，第二晶体管结构包括在第一沟道层上并且在竖直方向上堆叠并且彼此间隔开的第二沟道层、在第二沟道层上的第二栅电极、以及在第二栅电极的第一侧和第二侧上并且分别连接到第二沟道层的相对侧表面的第一上源/漏区和第二上源/漏区。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫具有下部区域和上部区域，所述下部区域具有第一厚度，所述上部区域具有比所述第一厚度小的第二厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫包括氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅，并且所述绝缘间隙填充部包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构在所述有源图案的一部分上并且在所述栅极结构的所述第二侧上，并且包括连接到所述下沟道层的侧表面的绝缘间隙填充部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述绝缘间隙填充部包括氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述下接触件包括第一水平接触部和第一竖直接触部，所述第一水平接触部连接
11.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
12.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
13.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
16.根据权利要求13所述的半导体装置，
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构从所述第二下沟道层与所述第三下沟道层之间延伸到所述第二上沟道层与所述第三上沟道层之间。
18.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，
20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫具有下部区域和上部区域，所述下部区域具有第一厚度，所述上部区域具有比所述第一厚度小的第二厚度。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫包括氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅，并且所述绝缘间隙填充部包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡结构在所述有源图案的一部分上并且在所述栅极结构的所述第二侧上，并且包括连接到所述下沟道层的侧表面的绝缘间隙填充部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述绝缘间隙填充部包括氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述下接触件包括第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：金庚浩，姜明一，赵敬熙，崔道永，黄东勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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