【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体芯片，具体涉及一种在两个目标知识产权(intellectualproperty block，ip)块之间具有短路径的半导体芯片，该短路径延伸横跨目标知识产权块之间的一个或多个知识产权块。
技术介绍
1、半导体制造的当前趋势是每一代数位电子设备比前一代更小、更轻，并且具有改进的功能和更好的性能。多个半导体芯片可以被集成为更大的集成电路并且被封装到半导体装置中，例如2.5d半导体装置或3d半导体装置。接触组件(contact element)、中介层(interposer)或再分布层(redistribution layer)用于半导体芯片之间的连接。通常，半导体芯片包括多个具有不同功能的知识产权块，并且提供合适的布线结构以形成这些知识产权块的连接路径。
2、在传统的半导体芯片中，用于形成目标知识产权块之间的连接路径的布线结构需要设置在目标知识产权块之间的间距内。例如，传统的知识产权块之间的连接路径位于下层金属层，并且大部分沿着设置在目标知识产权块之间的知识产权块的边缘延伸。因此，在传统的设计中，目标知识产权模块(例如dram控制器和抗emi单元)之间的连接路径由于绕道而较长且蜿蜒。另外，半导体芯片面积越大，绕路越远。
3、尽管现有的半导体芯片设计足以满足其预期目的，但它们并未在所有方面完全令人满意。例如，长度较长的总线可能会导致延迟问题和芯片性能不佳。因此，关于半导体芯片的连接设计仍有待克服的问题。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施例
2、在一些实施例中，多金属层堆栈的上部具有比多金属层堆栈的下部更低的电阻。在一些实施例中，半导体芯片还包括设置在第一ip块和第二ip块之间的互连的中间的超级缓冲器。在一些实施例中，超级缓冲器包括传送单元、中间单元和接收单元。
3、以下结合附图实施例进行详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，该多金属层堆栈的上部具有比该多金属层堆栈的下部更低的电阻。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，还包括设置在该第一IP块和该第二IP块之间的互连的中间的超级缓冲器。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，该超级缓冲器包括发送单元、中间单元和接收单元。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，该发送单元、该中间单元和该接收单元中的每一个的输入引脚和输出引脚设置于该多金属层堆栈的中间部分，其中该中间部分是在上部下方。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，金属层位于该发送单元、该中间单元和该接收单元上方，并且被配置为连接该互连结构与该接收单元、中间单元和发送单元的输入引脚和输出引脚。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，该金属层被配置为连接位于该多金属层堆栈的中间部分且平行布置的电源/接地信号线。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，该金属层在该电源/接地信号线上
9.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，该中间单元的输入引脚和输出引脚于该多金属层堆栈的中间部分的同一金属层。
10.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，该发送单元的输入引脚和输出引脚分别位于该多金属层堆栈的中间部分的第一导电层和第二导电层，并且该第二导电层位于该第一导电层上方，并透过其他导电层与该第一导电层分隔。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片，其特征在于，该接收单元的输入引脚和输出引脚分别位于该第二导电层和该第一导电层。
12.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，还包括位于该超级缓冲器和该第二IP块之间的寄存器，其中该寄存器被配置为连接该超级缓冲器的接收单元和该第二IP块。
13.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，该超级缓冲器的边缘与位于该多金属层堆栈的上部下方的电源/接地信号线对准。
14.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，该超级缓冲器设置在该第三IP块的边缘附近。
15.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，还包括设置在该第一IP块和该第二IP块之间的互连的中间的多个超级缓冲器。
16.根据权利要求15所述的半导体芯片，其特征在于，该多个超级缓冲器包括第一超级缓冲器、第二超级缓冲器和第三超级缓冲器，其中该第一超级缓冲器包括发送单元，该第二超级缓冲器包括中间单元，第三超级缓冲器包括接收单元。
17.根据权利要求16所述的半导体芯片，其特征在于，该第三超级缓冲器小于该第一超级缓冲器且还小于该第二超级缓冲器。
18.根据权利要求16所述的半导体芯片，其特征在于，该多个超级缓冲器还包括：
19.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，该互连结构包括平行布置的多条金属线，并且该互连结构的该多条金属线中的每条金属线的宽度大于在该多金属层堆栈的中间部分的金属线的宽度的两倍。
20.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，该多金属层堆栈的上部具有比该多金属层堆栈的下部更低的电阻。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，还包括设置在该第一ip块和该第二ip块之间的互连的中间的超级缓冲器。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，该超级缓冲器包括发送单元、中间单元和接收单元。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，该发送单元、该中间单元和该接收单元中的每一个的输入引脚和输出引脚设置于该多金属层堆栈的中间部分，其中该中间部分是在上部下方。
6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，金属层位于该发送单元、该中间单元和该接收单元上方，并且被配置为连接该互连结构与该接收单元、中间单元和发送单元的输入引脚和输出引脚。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片，其特征在于，该金属层被配置为连接位于该多金属层堆栈的中间部分且平行布置的电源/接地信号线。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，该金属层在该电源/接地信号线上方连续延伸，且该金属层的宽度大于每条该电源/接地信号线的宽度。
9.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，该中间单元的输入引脚和输出引脚于该多金属层堆栈的中间部分的同一金属层。
10.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，该发送单元的输入引脚和输出引脚分别位于该多金属层堆栈的中间部分的第一导电层和第二导电层，并且该第二导电层位于该第一导电层上方，并透过其他导电层与该第一导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员：翁丽秋，张友德，汪名轩，陈嘉成，张炜义，杨任航，徐健雄，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。