【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光致抗蚀剂溶解剂，更具体地，涉及发掘光致抗蚀剂溶解剂的系统和方法。
技术介绍
1、光刻(photolithography)是指通过使用光将光掩模的几何图案转移到光敏化学光致抗蚀剂(photoresist，又称为光刻胶)来形成图案的工艺。在形成图案之后，可通过光致抗蚀剂溶解剂从图案去除光致抗蚀剂。较短波长的光可用于形成较精细的示图案，因此可能需要新的光致抗蚀剂和光致抗蚀剂溶解剂。
技术实现思路
1、示例实施例提供一种用于通过验证光致抗蚀剂溶解剂来发掘新的光致抗蚀剂溶解剂的系统和方法。
2、根据示例实施例的一方面，一种方法包括：获得限定配体材料的输入数据；基于所述输入数据估计配体交换反应的反应能量，在配体交换反应中，包括第一金属和第一配体的第一络合物的第一配体与第二配体交换；基于物理模型估计与反应能量对应的第一金属的残余浓度；以及基于所述残余浓度验证提供第二配体的光致抗蚀剂溶解剂。
3、根据示例实施例的一方面，一种系统包括：非暂时性存储介质，存储指令；以及至少一个处理器，被配置为执行所述指令以：获得限定配体材料的输入数据；基于所述输入数据估计配体交换反应的反应能量，在配体交换反应中，包括第一金属和第一配体的第一络合物的第一配体与第二配体交换；基于物理模型估计与反应能量对应的第一金属的残余浓度；以及基于所述残余浓度验证提供第二配体的光致抗蚀剂溶解剂。
4、根据示例实施例的一方面，一种存储指令的非暂时性存储介质，所述指令由至少一个处理器执行以执
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1.一种发掘光致抗蚀剂溶解剂的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，估计反应能量的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，反应能量被确定为第二络合物的总能量和第一材料的总能量的和与第一络合物的总能量和第二材料的总能量的和之间的能量差。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，基于第一性原理模拟来确定第二络合物的总能量、第二材料的总能量、第一络合物的总能量、以及第一材料的总能量中的每个。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，物理模型是第一金属的残余浓度为对数标度的线性模型。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，其中，所述输入数据包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，估计反应能量的步骤包括：
8.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，其中，验证光致抗蚀剂溶解剂的步骤包括：
9.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，还包括：
10.一种发掘光致抗蚀剂溶解剂的系统，包括：
11.根据权利要求10所述的系统，其中，
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述至少一个处理器还被配置为执行所述指令，以将反应能量确定为第二络合物的总能量和第一材料的总能量的和与第一络合物的总能量和第二材料的总能量的和之间的能量差。
13.根据权利要求11所述的系统，其中，第二络合物的总能量、第二材料的总能量、第一络合物的总能量、以及第一材料的总能量均是基于第一性原理模拟计算的。
14.根据权利要求11所述的系统，其中，物理模型是第一金属的残余浓度为对数标度的线性模型。
15.根据权利要求10至权利要求14中的任一项所述的系统，其中，所述输入数据包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述至少一个处理器还被配置为执行所述指令，以通过以下处理来估计反应能量：
17.根据权利要求10至权利要求14中的任一项所述的系统，其中，所述至少一个处理器还被配置为执行所述指令，以通过以下处理来验证光致抗蚀剂溶解剂：
18.一种存储指令的非暂时性存储介质，所述指令由至少一个处理器执行以执行方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的非暂时性存储介质，其中，估计反应能量的步骤包括：
20.根据权利要求19所述的非暂时性存储介质，其中，反应能量被确定为第二络合物的总能量和第一材料的总能量的和与第一络合物的总能量和第二材料的总能量的和之间的能量差。
...【技术特征摘要】
1.一种发掘光致抗蚀剂溶解剂的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，估计反应能量的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，反应能量被确定为第二络合物的总能量和第一材料的总能量的和与第一络合物的总能量和第二材料的总能量的和之间的能量差。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，基于第一性原理模拟来确定第二络合物的总能量、第二材料的总能量、第一络合物的总能量、以及第一材料的总能量中的每个。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，物理模型是第一金属的残余浓度为对数标度的线性模型。
6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，其中，所述输入数据包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，估计反应能量的步骤包括：
8.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，其中，验证光致抗蚀剂溶解剂的步骤包括：
9.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的方法，还包括：
10.一种发掘光致抗蚀剂溶解剂的系统，包括：
11.根据权利要求10所述的系统，其中，所述至少一个处理器还被配置为执行所述指令，以通过以下处理来估计反应能量：
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述至少一个处理器还被配置为...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮成纲，朴智暎，金贞儿，李昇玟，张印国，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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