【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。
技术介绍
1、qled(quantum dots light-emitting diode,量子点发光器件)是一种新兴的显示器件，结构与oled(organic light-emitting diode，有机发光显示器)相似，即由空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。对比oled，qled的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料,胶体法制备的量子点具有光谱可调,发光强度大、色纯度高、荧光寿命长，单光源可激发多色荧光等优势。此外，qled的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。qled是基于无机半导体量子点的电致发光，理论上说，无机半导体量子点的稳定性要高于有机小分子及聚合物；另一方面，由于量子限域效应，使得量子点材料的发光线宽更小，从而使其具有更好的色纯度。目前，qled的发光效率已经基本达到商业化的需求。
2、然而，目前qled仍存在许多应用上的问题，其中器件稳定性和寿命则是较为难以解决的问题。如今qled常用的电子传输层材料一般为金属氧化物颗粒制成的膜层，此类材料在器件持续运作中可能会因发热、材料应力变化等原因造成颗粒间缝隙增大、开裂等问题从而导致器件发生漏流、短路等问题，甚至造成器件性能下降或者直接导致器件的损伤或者损坏。
技术实
1、有鉴于此，本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在提高薄膜的膜层结构稳定性。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种薄膜的制备方法，包括：提供基板，将金属氧化物材料、聚氰胺类化合物与醛类化合物的混合物设置到所述基板上；于第一温度下进行第一退火处理；以及于第二温度下进行第二退火处理，得到所述薄膜；其中，所述第二温度高于所述第一温度。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一退火处理的温度为120～150℃；和/或所述第一退火处理的时间为10-30min；和/或所述第二退火处理的温度为350～550℃；和/或所述第二退火处理的时间为5-10min。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一退火处理生成聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)，所述第二退火处理生成类石墨相氮化碳。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物材料选自金属氧化物或掺杂金属氧化物，所述金属氧化物选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、二氧化硅、氧化镓、氧化锆、氧化镍中的至少一种，所述掺杂金属氧化物包括所述金属氧化物和掺杂元素，所述掺杂元素选自于mg、ca、li、ga、al、co、mn中的至少一种；和/或所述金属氧化物材料的平均粒径为2～10nm；和/或所述聚氰胺类化合物选自三聚氰胺及二聚氰胺中的至少一种；和/或所述醛类化合物的沸点为(-20)～80℃；和/或所述醛类化合物选自碳原子数为1～4的脂肪醛。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物材料的浓度为20～40mg/ml；和/或所述聚氰胺类化合物的浓度为0.5～2mmol/ml；和/或所述混合溶液中的所述醛类化合物与所述聚氰胺类化合物的摩尔比为(2～3)：1。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合物通过以下方法制得：将所述金属氧化物材料分散至溶剂中，得到第一溶液；向所述第一溶液中加入所述聚氰胺类化合物并混合，使所述聚氰胺类化合物与所述金属氧化物材料发生配位反应，得到第二溶液；向所述第二溶液中加入所述醛类化合物，混合，得到所述混合物。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述溶剂选自乙醇、甲醇、丙醇中的至少一种。
9、相应的，本申请实施例还提供一种薄膜，所述薄膜包括金属氧化物材料、聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)和类石墨相氮化碳。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜由所述金属氧化物材料、聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)和类石墨相氮化碳组成。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)与所述金属氧化物材料连接，所述类石墨相氮化碳具有网状碳氮链结构，所述金属氧化物材料嵌设于所述网状碳氮链结构中。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)的含量范围为93.5％～98.5％；和/或所述金属氧化物材料的含量范围为1.0％～1.5％；和/或所述类石墨相氮化碳的含量范围为1％～1.5％。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)选自聚(三聚氰胺醛类化合物)及聚(二聚氰胺醛类化合物)中的至少一种；和/或所述金属氧化物材料选自金属氧化物或掺杂金属氧化物，所述金属氧化物选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、二氧化硅、氧化镓、氧化锆、氧化镍中的至少一种，所述掺杂金属氧化物包括所述金属氧化物和掺杂元素，所述掺杂元素选自于mg、ca、li、ga、al、co、mn中的至少一种；和/或所述金属氧化物材料的平均粒径为2～10nm。
14、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层和阳极，所述电子传输层由上述的薄膜的制备方法制备得到，或者所述电子传输层为上述的薄膜。
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层的材料选自量子点材料、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的至少一种；所述量子点材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物和iv族单质中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理生成聚氰胺类化合物醛类化合物)，所述第二退火处理生成类石墨相氮化碳。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合物中：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液通过以下方法制得：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自乙醇、甲醇、丙醇中的至少一种。
8.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括金属氧化物材料、聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)和类石墨相氮化碳。
9.根据权利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述聚(聚氰胺类化合物醛类化合物)与所述金属氧化物材料配位连接，所述类石墨相氮化碳具有网状碳氮链结构，所述金属氧化物材料嵌设于所述网状碳氮链结构中。
10.根据权利要求8或9所述的薄膜，其特征在于，
11.一种光电器件，其特征
12.根据权利要求11所述的光电器件，其特征在于，
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11-12任一项所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一退火处理生成聚氰胺类化合物醛类化合物)，所述第二退火处理生成类石墨相氮化碳。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合物中：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液通过以下方法制得：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自乙醇、甲醇、丙醇中的至少一种。
8.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括金属氧化物材料、聚(聚氰胺类化合物醛类化...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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