一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号：41123230 阅读：7 留言：0更新日期：2024-04-30 17:49

本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的薄膜的制备方法，通过使用所述第一气氛对所述第一膜层进行处理，所述第一气氛中包含的氧气(O<subgt;2</subgt;)、水蒸气(H<subgt;2</subgt;O)和醇类蒸气与所述无机颗粒表面产生相互作用，阻断所述第一溶剂与所述无机颗粒的表面的化学连接，从而避免所述第一溶剂影响所述无机颗粒的表面状态以及所述无机颗粒的性能，避免所述第一溶剂阻碍电子的注入与传输，进而避免所述第一溶剂对所述薄膜的电子传输性能产生负面影响，以及促进所述第一膜层中的所述第一溶剂的去除，从而减小所述薄膜中溶剂的残留。

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【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。

技术介绍

1、有机电致发光器件(oled)和量子点电致发光器件(qled)等光电器件得到越来越广泛的应用和关注。oled和qled等的结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。其中，电子功能层的材料通常采用无机纳米材料，比如氧化锌纳米颗粒，其具有与发光层的材料能级结构更配、材料合成易于设计与控制及高电子传输性等优点。

2、溶液法成膜由于具有易于图案化、易操作、可大规模生产、可兼容柔性和平板显示等众多优势，被广泛用于电子功能层等膜层的制备。在使用溶液法进行成膜时，会使用溶剂将纳米颗粒进行分散，然后去除溶剂成膜。但有些溶剂可能难以完全去除，比如喷墨打印中使用的墨水的溶剂，会部分残留在电子功能层中，影响电子的注入与传输，对电子功能层的电子传输性能产生负面影响，降低光电器件的发光效率和使用寿命。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在改善电子功能层中的溶剂残留。

2、本申请实施例是这样实现的，提供一种薄膜的制备方法，包括：提供第一膜层，所述第一膜层包括无机颗粒以及结合在无机颗粒表面的第一溶剂；使用第一气氛对所述第一膜层进行处理，得到薄膜；其中，所述第一气氛中包含氧气、水蒸气和醇类蒸气。

3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述醇类蒸气选自乙醇蒸气、正丙醇蒸汽、异丙醇蒸汽、正丁醇蒸汽、叔丁醇蒸气中的至少一种；和/或所述第一气氛中，

4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理的时间为5～30min；和/或所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理的温度为40～80℃。

5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机颗粒选自掺杂无机氧化物颗粒或未掺杂无机纳米氧化物颗粒，所述未掺杂无机纳米氧化物颗粒选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、二氧化硅、氧化镓、氧化锆、氧化镍、三氧化二锆、硫化锌、硒化锌、硫化镉、磷化铟、磷化镓中的一种或多种；所述掺杂无机纳米氧化物颗粒包括所述未掺杂无机纳米氧化物颗粒和掺杂元素，所述掺杂元素选自mg、ca、li、ga、al、co、mn、in中的一种或多种；和/或所述无机颗粒为核壳结构的纳米颗粒；和/或所述第一溶剂选自乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、乙二醇单丁醚、甲氧基丁醇、二丙二醇、丙三醇中的一种或多种。

6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理之后，还包括：干燥，其中，干燥的压力小于等于0.01pa；和/或所述干燥的温度为40～80℃；和/或所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理以及之后的所述干燥至少重复两次。

7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理之后，还包括：使用第二气氛对所述第一膜层进行处理，得到所述薄膜；其中，所述第二气氛中包含氧气和醇类蒸气。

8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二气氛中，所述醇类蒸气的蒸气压小于等于8kpa；和/或所述第二气氛中的氧分压大于等于20％。

9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用第二气氛对所述第一膜层进行处理之后，还包括：干燥，其中，干燥的压力小于等于0.01pa；和/或所述干燥的温度为40～80℃；和/或所述使用第二气氛对所述第一膜层进行处理以及之后的所述干燥至少重复两次。

10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供第一膜层，包括：提供无机颗粒和第二溶剂，混合得到无机颗粒溶液；提供基板，在所述基板上设置所述无机颗粒溶液，干燥形成所述第一膜层，其中，所述第二溶剂中包含所述第一溶剂。

11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二溶剂选自乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、乙二醇单丁醚、甲氧基丁醇、二丙二醇、丙三醇中的一种或多种；和/或所述无机颗粒溶液的浓度为10～80mg/ml；和/或所述无机颗粒的平均粒径为2～8nm；和/或所述干燥的压力为0.001～10pa。

12、相应的，本申请实施例还提供一种薄膜，由上述的薄膜的制备方法制备得到。

13、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和阴极；其中，所述电子功能层由上述的薄膜的制备方法制备得到，或者所述电子功能层为上述的薄膜。

14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极和所述阴极独立选自金属电极、碳电极、掺杂或非掺杂金属氧化物电极以及复合电极；其中，所述金属电极的材料选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一种；所述复合电极的材料选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns以及zns/al/zns中的至少一种；和/或所述发光层的材料为有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种，所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、znseste、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete、cdseste、cdznseste及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自pbs、pbse、pbte、pbses、pbsete、pbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种。

15、相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括上述的光电器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理之后，还包括：干燥；

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用第一气氛对所述第一膜层进行处理之后，还包括：

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供第一膜层，包括：

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶剂选自乙二醇、二乙二醇、聚乙二醇、乙二醇单丁醚、甲氧基丁醇、二丙二醇、丙三醇中的一种或多种；和/或

10.一种薄膜，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的薄膜的制备方法制备得到。

11.一种光电器件，其特征在于，包括层叠的阳极、发光层、电子功能层和阴极；其中，所述电子功能层由权利要求1-9任一项所述的薄膜的制备方法制

12.如权利要求11所述的光电器件，其特征在于，

13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求11-12任意一项所述的光电器件。

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【技术特征摘要】