二氧化硅薄膜及其制备方法技术

本申请公开二氧化硅薄膜及其制备方法。制备方法采用PECVD工艺，包括如下：S1）将衬底置于反应腔内，加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并保持第一预设时长；S2）对反应腔抽真空至第一压力预设值，反应腔内的温度值为第一温度预设值；S3）向反应腔内通入TEOS气体，反应腔内的温度值为第二温度预设值，真空度为第二压力预设值；S4）开启射频电源，反应腔内的温度值为第三温度预设值，以及反应腔内的真空度为第三压力预设值，在衬底上沉积二氧化硅薄膜，以获得所需的二氧化硅薄膜。第一温度预设值、第二温度预设值和第三温度预设值为0℃‑80℃。由于采用TEOS源并结合前述工艺条件，形成的二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及二氧化硅薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、二氧化硅（silicon dioxide，sio2）薄膜具有硬度大、抵御碱金属离子侵蚀能力强、介电强度高、耐湿性好、抗腐蚀性好以及独特的光学特性等优点，因此被作为制备半导体器件的材料得到了广泛应用。在硅基集成电路中，二氧化硅薄膜被用作金属层间的介质层和表面保护的钝化层；在光电子器件和太阳能电池中，二氧化硅薄膜以极其好的光学特性和化学性能被用作波导芯层、包层和减反射膜；在mems器件中则经常作为牺牲层材料被用来支撑上层薄膜。

2、但是，技术人员发现，上述二氧化硅薄膜耐腐蚀性较差。

技术实现思路

1、本申请的目的在于公开一种二氧化硅薄膜及其制备方法。所述二氧化硅薄膜耐腐蚀性好。

2、第一方面，本申请公开一种二氧化硅薄膜的制备方法。所述制备方法采用pecvd工艺，包括如下：

3、s1）将衬底置于反应腔内，对反应腔加热直至反应腔内部温度为第一温度预设值，并且保持第一预设时长；

4、s2）对所述反应腔抽真本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用PECVD工艺，包括如下：

2.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，第一温度预设值、所述第二温度预设值和所述第三温度预设值相等。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一压力预设值、所述第二压力预设值和第三压力预设值中，至少所述第三压力预设值为40Pa-200Pa；

4.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：向所述反应腔内通入催化剂，所述催化剂对所述TEOS气体具有催化作用，所述催化剂的体积流量大于所述TEO...

【技术特征摘要】

1.一种二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用pecvd工艺，包括如下：

2.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，第一温度预设值、所述第二温度预设值和所述第三温度预设值相等。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一压力预设值、所述第二压力预设值和第三压力预设值中，至少所述第三压力预设值为40pa-200pa；

4.根据权利要求1所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：向所述反应腔内通入催化剂，所述催化剂对所述teos气体具有催化作用，所述催化剂的体积流量大于所述teos气体的体积流量；

5.根据权利要求4所述的二氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，先通入催化剂，再通入所述teos气体，其中，通入所述催化剂的时长至少为第二预设时长，直至所述反应腔内的温度值恢复为所述第一温度预设值；

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏志强，余辉，朱洪力，胡家兴，洪悦，邹黎明，穆堂杰，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：