【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及半导体封装技术，更具体地，涉及一种用于在半导体器件上形成屏蔽层的方法。
技术介绍
1、半导体行业不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品更轻、更小并且具有更高的性能和越来越多的功能。其中一种解决方案是系统级封装(sip)。sip是一种功能性电子系统或子系统，在单个封装中包含两个或多个异质半导体晶粒或其他无源器件，例如逻辑芯片、存储器、集成无源器件(ipd)、rf滤波器、传感器、散热器或天线。但是，可能会存在这些设备之间的以及来自外部环境的干扰，例如电磁干扰(emi)。
2、通常，半导体器件可以在其外部周围配备有金属覆盖物或均匀分布的涂层，作为降低emi的屏蔽层。然而，一些半导体器件可能包括需要暴露于外部环境的组件(例如，接合焊盘)，其不能形成有屏蔽层。实际上，暴露在外部环境中的元件可能会与屏蔽层形成短路，因而无法使用emi屏蔽层。
3、因此，需要在包括暴露于外部环境的部件的半导体器件上形成屏蔽层。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供...
【技术保护点】
1.一种用于在半导体器件上形成屏蔽层的方法，其特征在于，所述半导体器件包括接合焊盘，所述接合焊盘形成在基底的前侧并延伸至所述基底的第一侧面，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括形成在所述基底前侧上的介电层，所述介电层从所述接合焊盘延伸到所述基底的与所述第一侧面相对的第二侧面，其中将填充物附接在所述接合焊盘上以填充所述间隙还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充物是胶带，所述胶带包括填充所述间隙的第一部分和附接至并覆盖所述接合焊盘的第二部分。
4.根据权利要求3所述的方法，在...
【技术特征摘要】
1.一种用于在半导体器件上形成屏蔽层的方法，其特征在于，所述半导体器件包括接合焊盘，所述接合焊盘形成在基底的前侧并延伸至所述基底的第一侧面，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括形成在所述基底前侧上的介电层，所述介电层从所述接合焊盘延伸到所述基底的与所述第一侧面相对的第二侧面，其中将填充物附接在所述接合焊盘上以填充所述间隙还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充物是胶带，所述胶带包括填充所述间隙的第一部分和附接至并覆盖所述接合焊盘的第二部分。
4.根据权利要求3所述的方法，在将所述屏蔽层施加至所述基底的背侧之后，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充物包括环氧树脂材料。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将填充物附接在所述接合焊盘上包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件包括一个或多个电子部件，所述一个或多个电子部件支撑在所述基底的背侧上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李承炫，李勋择，朴敬熙，朴星焕，田永训，李喜秀，
申请(专利权)人：JCET星科金朋韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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