【技术实现步骤摘要】
本申请总体上涉及半导体技术，更具体地，涉及一种半导体器件及制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、半导体行业不断面临复杂的集成挑战，因为消费者希望他们的电子产品更小、更快、性能更高，并且将越来越多的功能封装到单个器件中。其中一种解决方案是系统级封装(sip：system-in-package)。sip可以包括多个半导体元件，例如，半导体裸片、半导体封装、集成无源器件和分立的有源或无源电子元件，它们被集成在单个半导体封装中。由于高速数字和射频(rf)半导体封装可能集成在sip中，因此可能很容易发生电磁干扰(emi)。emi可能会中断、阻碍或以其他方式降低或限制sip中电路的性能。
2、因此，存在降低sip中的emi的需要。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种具有降低的电磁干扰的半导体器件。
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：提供封装件，该封装件包括：基板，所述基板包括基板顶表面和基板底表面；安装在基板顶表面上的电子元件；和第一密封剂，所述第一密封剂设置在基板顶表面上并密封电子元件；在第一密封剂中形成基准标记；并且在第一密封剂上形成第一屏蔽层，其中第一屏蔽层与基准标记相距预定距离且位于电子元件上方。
3、根据本申请实施例的另一方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，所述基板包括基板顶表面和基板底表面；安装在基板顶表面上的电子元件；第一密封剂，所述第一密封剂设置在基板顶表面上并密封电子元
4、应当理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
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1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂中形成所述基准标记包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂中形成所述凹槽包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂上形成所述第一屏蔽层包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使用所述气溶胶喷射装置在所述第一密封剂上形成所述第一屏蔽层包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一屏蔽层到所述基板顶表面上的投影覆盖所述电子元件。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二屏蔽层顺应所述半导体器件的形状。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二密封剂包括填充有一种或多种高k介电材料的环氧树脂模塑料。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一屏蔽层到所述基板顶表面上的投影覆盖所述电子元件。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述第二密封剂包括填充有一种或多种高k介电材料的环氧树脂模塑料。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂中形成所述基准标记包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂中形成所述凹槽包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一密封剂上形成所述第一屏蔽层包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使用所述气溶胶喷射装置在所述第一密封剂上形成所述第一屏蔽层包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一屏蔽层到所述基板顶表面上的投影覆盖所述电子元件。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金昌伍，郑珍熙，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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