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本申请公开了一种用于在半导体器件上形成屏蔽层的方法，该半导体器件包括接合焊盘，所述接合焊盘形成在基底的前侧并延伸至所述基底的第一侧面。所述方法包括蚀刻所述接合焊盘靠近所述第一侧面的一部分，以在所述接合焊盘与所述第一侧面之间形成间隙；将填充物...
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