一种LED外延片及其制备方法、LED芯片技术

本发明专利技术提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为复合结构，其中，量子阱层为InGaN层，量子垒层为AlInGaN/AlGaN/AlN/GaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3≥T2≥T1≥T0，具体的，采用这种组合结构的垒层，把传统的方形阱结构改变成刃形阱结构，可以将载流子更好地限制在InGaN层，从而增加电子和空穴的辐射复合概率，提高外延片的内量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种led外延片及其制备方法、led芯片。

技术介绍

1、gan基ⅲ族氮化物材料，尤其是gan材料，是目前研究最热门，并已经得到广泛应用的宽禁带化合物半导体材料。尤其在led领域，ingan超高度蓝光、绿光led技术已经实现商品化，其中，ingan基led产品已逐渐替代传统照明。

2、但是，由于六方gan具有较高的压电系数，gan和ingan的晶格常数又相差较大，ingan/gan界面处存在较大的应力，从而形成极化，导致电子和空穴的波函数在空间分离，降低辐射复合效率。

技术实现思路

1、基于此，本专利技术的目的是提供一种led外延片及其制备方法、led芯片，旨在引入一种新型的多量子阱层结构，将传统的方形阱结构改变成刃形阱结构，以将载流子更好地限制在ingan层，从而增加电子和空穴的辐射复合概率，提高外延片的内量子效率。

2、根据本专利技术实施例当中的一种led外延片，包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为ing本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED外延片，其特征在于，包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为AlInGaN/AlGaN/AlN/GaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3≥T2≥T1≥T0。

2.根据权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片还包括衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层及P型层；

3.根据权利要求1或2...

【技术特征摘要】

1.一种led外延片，其特征在于，包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为ingan层，所述量子垒层为alingan/algan/aln/gan的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，ingan层生长温度为t0，alingan子层生长温度为t1，algan子层的生长温度为t2，aln子层的生长温度为t3，gan子层的生长温度为t4，其中，t4=t3≥t2≥t1≥t0。

2.根据权利要求1所述的led外延片，其特征在于，所述led外延片还包括衬底、缓冲层、未掺杂的gan层、n型层、应力释放层及p型层；

3.根据权利要求1或2所述的led外延片，其特征在于，单个量子垒层中，alingan子层的厚度为w1，algan 子层的厚度为w2，aln子层的厚度为w3，gan子层的厚度为w4，其中，w4＞w1≥w2≥w3。

4.根据权利要求3所述的led外延片，其特征在于，所述量子垒层中的gan子层为未掺杂的gan或n型掺杂的gan中的一种。

5.根据权利要求4所述的led外延片，其特征在于，当所述量子垒层中的gan子层为n型掺杂的gan时，掺杂杂质元素为硅或锗中的一种，掺杂后的所述量子垒层中的gan子层的电子浓度范围为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：