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本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为复合结构，其中，量子阱层为InGaN层，量子垒层为AlInGaN/AlGaN/AlN/GaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，Al...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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