本技术涉及模拟电路领域，尤其涉及一种基准电路及驱动芯片。其中，基准电路包括：第一负温度系数电压产生模块、第一正温度系数电压产生模块、第一反馈回路以及基准电压输出端口；第一负温度系数电压产生模块包括：第一NPN型三极管和第二NPN型三极管；第一NPN型三极管的集电极以及第二NPN型三极管的集电极均与电源端口连接；第一NPN型三极管以及第二NPN型三极管的发射极均与接地端口连接；第一NPN型三极管的基极与第二NPN型三极管的基极连接。通过NPN型三极管来分别得到正温度系数电压以及负温度系数电压。进而基于负温度系数电压以及正温度系数电压输出基准电压。
1、在模拟电路中依赖于基准电压和基准电流。在许多集成电路中都需要精密又稳定的电压基准，如模数转换器、数模转换器、线性稳压器和开关稳压器。在现有的设计中往往会把基准电压源与基准电流源分开设计，面积消耗较大。另外，在产生基准电压或基准电流的基准电路中，往往依靠制备简单，成本低廉且信噪比较低npn型三极管提供的参数特性来实现。但是，当温度较高时，将会对npn型三极管产生影响，从而影响基准电压或基准电流。例如，当温度超过150℃时，npn型器件的n型集电极与p型衬底之间会出现漏电流，从而影响基准电压或基准电流。
5、所述第一npn型三极管的集电极以及所述第二npn型三极管的集电极均与电源端口连接；所述第一npn型三极管以及所述第二npn型三极管的发射极均与接地端口连接；所述第一npn型三极管的基极与所述第二npn型三极管的基极连接；
>6、所述第一npn型三极管的基极-发射极以及所述第二npn型三极管的基极-发射极产生负温度系数电压；7、所述第一正温度系数电压产生模块包括：第一负载元件、第二负载元件、第三负载元件以及集成运算放大器；
8、所述第一负载元件设置在所述第一npn型三极管的发射极与所述接地端口之间；所述第二负载元件和所述第三负载元件串联在所述第二npn型三极管的发射极与所述接地端口之间；
9、所述集成运算放大器的第一输入端连接在所述第一npn型三极管的发射极与所述第一负载元件之间；所述集成运算放大器的第二输入端连接在所述第二负载元件与所述第三负载元件之间；
10、所述第二npn型三极管发射极与接地端口之间产生正温度系数电压；
11、所述第一反馈回路包括：
12、所述集成运算放大器的输出端与所述第一npn型三极管的基极和所述第二npn型三极管的基极之间连接，形成电路反馈，使得所述集成运算放大器的第一输入端和所述第二输入端之间的虚短成立；
13、所述基准电压输出端口连接在所述第一npn型三极管的基极和所述第二npn型三极管的基极之间，用于输出基准电压。
14、在一种可能的实现方式中，所述第一负载元件、所述第二负载元件以及所述第三负载元件均为电阻元件。
15、在一种可能的实现方式中，通过改变所述第一npn型三极管和第二npn型三极管的发射结面基比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
16、在一种可能的实现方式中，所述第一反馈回路还包括mos管；
17、所述集成运算放大器的输出端通过mos管与所述第一npn型三极管的基极和所述第二npn型三极管的基极之间连接；所述mos管的栅极控制端与所述集成运算放大器的输出端相连，所述mos管的输入端与所述电源端口连接，所述mos管的输出端连接在所述第一npn型三极管的基极和所述第二npn型三极管的基极之间；
18、所述mos管用于减少所述集成运算放大器的输出端对所述基准电压输出端的影响。
19、第二方面，本技术提供另一种基准电路，包括：
20、第二负温度系数电压产生模块、第二正温度系数电压产生模块、基准电流产生模块、基准电压输出端口、基准电流输出端口以及第二反馈回路；
21、所述第二负温度系数电压产生模块包括：第三npn型三极管和第四npn型三极管；
22、所述第三npn型三极管的集电极以及所述第四npn型三极管的集电极均与电源端口连接；所述第三npn型三极管以及所述第四npn型三极管的发射极均与接地端口连接；所述第三npn型三极管的基极与所述第四npn型三极管的基极连接；
23、所述第三npn型三极管的基极-发射极以及所述第四npn型三极管的基极-发射极产生负温度系数电压；
24、所述第二正温度系数电压产生模块包括：第四负载元件、第五负载元件、第六负载元件以及集成运算放大器；
25、所述第四负载元件设置在所述第三npn型三极管的发射极与所述接地端口之间；所述第五负载元件和所述第六负载元件串联在所述第四npn型三极管的发射极与所述接地端口之间；
26、所述集成运算放大器的第一输入端连接在所述第三npn型三极管的发射极与所述第四负载元件之间；所述集成运算放大器的第二输入端连接在所述第五负载元件与所述第六负载元件之间；
27、所述第四npn型三极管发射极与接地端口之间产生正温度系数电压；
28、所述基准电压输出端口连接在所述第三npn型三极管的基极和所述第四npn型三极管的基极之间，用于输出基准电压；
29、所述基准电流产生模块包括：电流镜以及至少一个负载电阻；
30、所述负载电阻连接在所述第三npn型三极管的基极与接地端口之间，用于在基准电压的作用下产生基准电流；
31、所述电流镜包括第一晶体管和第二晶体管；
32、所述第一晶体管的输入端以及所述第二晶体管的输入端均与所述电源端口连接；所述第一晶体管的输出端连接在所述第三npn型三极管的基极和所述第四npn型三极管的基极之间；
33、所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接；
34、所述电流镜用于输出稳定的基准电流，减少基准电流负载对基准电压的影响；
35、所述基准电流输出端口与所述第二晶体管的输出端连接，用于输出基准电流；
36、所述第二反馈回路包括：
37、所述集成运算放大器的输出端与所述第一晶体管以及所述第二晶体管的栅极连接，形成集成电路反馈，使得所述集成运算放大器的第一输入端和所述第二输入端之间的虚短成立。
38、在一种可能的实现方式中，所述第二正温度系数电压产生模块中的所述第四负载元件、所述第五负载元件以及所述第六负载元件均为电阻元件，通过改变所述第四负载元件和所述第五负载元件的电阻比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
39、在一种可能的实现方式中，通过改变所述第三npn型三极管和第四npn型三极管的发射结面基比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
40、在一种可能的实现方式中，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为pmos管。
41、第三方面，本技术实施例提供一种驱动芯片，所述驱动芯片包括：本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述第一负载元件、所述第二负载元件以及所述第三负载元件均为电阻元件。
3.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，通过改变所述第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的发射结面基比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
4.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述第一反馈回路还包括MOS管；
5.一种基准电路，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的基准电路，其特征在于，所述第二正温度系数电压产生模块中的所述第四负载元件、所述第五负载元件以及所述第六负载元件均为电阻元件，通过改变所述第四负载元件和所述第五负载元件的电阻比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
7.根据权利要求5所述的基准电路，其特征在于，通过改变所述第三NPN型三极管和第四NPN型三极管的发射结面基比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
8.根据权利要求5所述的基准电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为PMOS管。
9.一种驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片包括：
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【技术特征摘要】
1.一种基准电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述第一负载元件、所述第二负载元件以及所述第三负载元件均为电阻元件。
3.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，通过改变所述第一npn型三极管和第二npn型三极管的发射结面基比例，进而对所述正温度系数电压的温度系数进行调整。
4.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述第一反馈回路还包括mos管；
5.一种基准电路，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的基准电路，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶东，
申请(专利权)人：成都极海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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