System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种齐纳基准电压源电路和微处理芯片制造技术_技高网

一种齐纳基准电压源电路和微处理芯片制造技术

技术编号:40349050 阅读:11 留言:0更新日期:2024-02-09 14:33
本申请实施例提供的一种齐纳基准电压源电路和微处理芯片。该齐纳基准电压源电路包括:电压产生电路、电流产生电路和核心电路,电压产生电路的输入端电连接至第一电压端,电压产生电路的第一输出端电连接至电流产生电路的输入端,电流产生电路的输出端电连接至核心电路的输入端;所述电流产生电路包括第一电流镜结构,所述核心电路包括串联连接的第二电流镜结构、三极管和齐纳二极管,所述第一电流镜结构和所述第二电流镜结构形成第一电流镜电路。本申请实施例的技术方案提高了齐纳基准电压源电路的电源抑制能力,且使得齐纳基准电压源电路具有较低温漂。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及电子,尤其涉及一种齐纳基准电压源电路和微处理芯片


技术介绍

1、基准电压源通常是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源。随着集成电路规模的不断增大,尤其是系统级芯片(system on chip,soc)技术的发展,基准电压源也成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。

2、基准电压源可以为串联型稳压电路、模拟数字(a/d)转换器和数字模拟(d/a)转换器提供基准电压,也可以是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。集成电路中经常需要使用基准电压源,基准电压源的精度决定了集成电路输出电压的精度。

3、现有技术中的基准电压源可包括传统的带隙基准电路或者传统的齐纳基准电路。传统的带隙基准电路温漂较高,若进行高阶温度补偿则会使得带隙基准电路的电路结构较复杂、电路面积较大,所以会优先采用齐纳基准电路。但是传统的齐纳基准电路电源抑制能力较差,且温漂较高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例提供一种齐纳基准电压源电路和微处理芯片,用于使得齐纳基准电压源电路的电源抑制能力强且温漂较低。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种齐纳基准电压源电路,包括:电压产生电路、电流产生电路和核心电路,所述电压产生电路的输入端电连接至第一电压端,所述电压产生电路的第一输出端电连接至所述电流产生电路的输入端,所述电流产生电路的输出端电连接至所述核心电路的输入端;

3、所述电流产生电路包括第一电流镜结构,所述核心电路包括串联连接的第二电流镜结构、三极管和齐纳二极管,所述第一电流镜结构和所述第二电流镜结构形成第一电流镜电路;

4、所述电压产生电路,用于在所述第一电压端提供的第一电压的控制下生成第一输出电压,并将输出所述第一输出电压;

5、所述电流产生电路,用于在所述第一输出电压的控制下生成第一基准电流,并通过所述第一电流镜电路将所述第一基准电流镜像至所述核心电路,以使所述核心电路获取第二基准电流;

6、所述核心电路,用于在所述第二基准电流的控制下生成零温度特性的基准电压。

7、第二方面,本申请实施例提供了一种微处理芯片,包括:第一方面所述的齐纳基准电压源电路。

8、本申请实施例提供的技术方案中,电流产生电路包括第一电流镜结构,核心电路包括串联连接的第二电流镜结构、三极管和齐纳二极管,第一电流镜结构和所述第二电流镜结构形成第一电流镜电路,电流产生电路通过所述第一电流镜电路将第一基准电流镜像至核心电路,通过第一电流镜电路可提高电源抑制比,从而提高了齐纳基准电压源电路的电源抑制能力;第一电流镜电路将第一基准电流镜像至核心电路,经过第一基准电流的补偿,使得齐纳基准电压源电路具有较低温漂,提高了齐纳基准电压源电路的稳定性。

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【技术保护点】

1.一种齐纳基准电压源电路,其特征在于,包括:电压产生电路、电流产生电路和核心电路,所述电压产生电路的输入端电连接至第一电压端,所述电压产生电路的第一输出端电连接至所述电流产生电路的输入端,所述电流产生电路的输出端电连接至所述核心电路的输入端;

2.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:基准分压电路,所述基准分压电路的输入端电连接至所述核心电路的电压输出端;

3.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:缓冲器电路,所述缓冲器电路的输入端电连接至所述电压产生电路的第二输出端以及所述核心电路的输出端;

4.根据权利要求2所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:缓冲器电路,所述缓冲器电路的输入端电连接至所述电压产生电路的第二输出端以及所述基准分压电路的输出端;

5.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述电压产生电路包括:第一电阻、第一三极管、第一齐纳二极管、第一开关管、第二电阻和第二齐纳二极管;

6.根据权利要求5所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括用于对所述齐纳基准电压源电路上电的启动电路;所述启动电路包括:第三电阻、第二三极管、所述第一电阻、所述第一三极管和所述第一齐纳二极管;

7.根据权利要求5所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述电压产生电路还包括:第一电容和第二电容;

8.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述电流产生电路还包括:第二开关管、第三开关管、第三三极管、第四三极管、第三齐纳二极管、第五电阻、第五三极管和修调电阻模块,所述第一电流镜结构包括第四开关管和第五开关管,所述第二开关管、所述第三开关管、所述第四开关管和所述第五开关管形成第二电流镜电路;

9.根据权利要求8所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述修调电阻模块的电阻类型采用随温度增加而阻值减小的电阻类型。

10.根据权利要求8所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述三极管包括第六三极管,所述齐纳二极管包括第四齐纳二极管,所述第二电流镜结构包括第六开关管和第七开关管,所述第四开关管、所述第五开关管、所述第六开关管和所述第七开关管形成所述第一电流镜电路;

11.根据权利要求10所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:第八开关管和第九开关管,所述第六开关管、所述第七开关管、所述第八开关管和所述第九开关管形成第三电流镜电路;

12.根据权利要求2所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述基准分压电路包括电阻分压电路,所述电阻分压电路的第一端电连接至所述核心电路的电压输出端,所述电阻分压电路的第二端电连接至所述第二电压端;

13.一种微处理芯片,其特征在于,包括:权利要求1至12任一项所述的齐纳基准电压源电路。

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【技术特征摘要】

1.一种齐纳基准电压源电路,其特征在于,包括:电压产生电路、电流产生电路和核心电路,所述电压产生电路的输入端电连接至第一电压端,所述电压产生电路的第一输出端电连接至所述电流产生电路的输入端,所述电流产生电路的输出端电连接至所述核心电路的输入端;

2.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:基准分压电路,所述基准分压电路的输入端电连接至所述核心电路的电压输出端;

3.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:缓冲器电路,所述缓冲器电路的输入端电连接至所述电压产生电路的第二输出端以及所述核心电路的输出端;

4.根据权利要求2所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括:缓冲器电路,所述缓冲器电路的输入端电连接至所述电压产生电路的第二输出端以及所述基准分压电路的输出端;

5.根据权利要求1所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述电压产生电路包括:第一电阻、第一三极管、第一齐纳二极管、第一开关管、第二电阻和第二齐纳二极管;

6.根据权利要求5所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所述齐纳基准电压源电路还包括用于对所述齐纳基准电压源电路上电的启动电路;所述启动电路包括:第三电阻、第二三极管、所述第一电阻、所述第一三极管和所述第一齐纳二极管;

7.根据权利要求5所述的齐纳基准电压源电路,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚加伟王锐孙正龙
申请(专利权)人:成都极海科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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