【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及聚焦环、包括聚焦环的衬底处理装置以及使用衬底处理装置的半导体制造方法，更具体地，涉及一种能够与静电卡盘结构对齐的聚焦环、包括该聚焦环的衬底处理装置以及使用该聚焦环的半导体制造方法。
技术介绍
1、可以使用各种工艺来制造半导体器件。例如，可以通过允许硅晶片经历光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺等来制造半导体器件。等离子体可以用于制造半导体器件的蚀刻工艺。在使用等离子体的晶片蚀刻工艺中可以采用聚焦环来控制等离子体的分布。
2、本
技术介绍
部分所公开的信息在实现本申请实施例之前或实现过程中已经为专利技术人所知或由专利技术人导出得到，或者是在实现实施例的过程中获得的技术信息。因此，它可能包括不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、提供一种中心轴对齐以改善衬底偏差的聚焦环、包括该聚焦环的衬底处理装置、以及使用该聚焦环的半导体制造方法。
2、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。
3、根据示例实施例的一方面，一种衬底处理装置可以包括聚焦环，聚焦环可以包括：中心轴，沿第一方向延伸；顶表面，具有第一内径；底表面，具有小于第一内径的第二内径；以及内侧表面，在顶表面与底表面之间，内侧表面包括第一内侧表面和第二内侧表面，其中，第二内侧表面可以从第一内侧表面向下延伸，并且第一内侧表面与对应于第一方向的线之间的第一角度可以不同于第二内侧表面与对应于第一方向的线之间的第二角度。
...【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面平行于所述第一方向，并且
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，所述第二角度大于0°并且等于或小于5°。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面具有朝向所述中心轴凸出的形状。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的所述内侧表面还包括第三内侧表面，并且
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内径与所述第二内径之间的差在0.01mm至0.5mm的范围内。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环还包括外侧表面，
8.一种衬底处理装置，包括：
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的顶表面在比所述卡盘的顶表面低的水平处。
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环包括：
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环还包括在所述第一内侧表面与所述第二内侧表面之间的第三内侧
12.一种衬底处理装置，包括：
13.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面与对应于所述第一方向的线之间的第一角度不同于所述第二内侧表面与对应于所述第一方向的线之间的第二角度。
14.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的顶表面具有第一内径，
15.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面平行于所述第一方向，并且
16.根据权利要求12所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的所述内侧表面还包括第三内侧表面，并且
17.根据权利要求16所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面、所述第二内侧表面和所述第三内侧表面中的至少一个具有朝向所述静电卡盘结构凸出的形状。
18.根据权利要求16所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面和所述第二内侧表面平行于所述第一方向。
19.根据权利要求12所述的衬底处理装置，还包括沿所述第一方向延伸的环升降销，
20.根据权利要求12所述的衬底处理装置，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面平行于所述第一方向，并且
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，所述第二角度大于0°并且等于或小于5°。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内侧表面具有朝向所述中心轴凸出的形状。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的所述内侧表面还包括第三内侧表面，并且
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第一内径与所述第二内径之间的差在0.01mm至0.5mm的范围内。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环还包括外侧表面，
8.一种衬底处理装置，包括：
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环的顶表面在比所述卡盘的顶表面低的水平处。
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环包括：
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其中，所述聚焦环还包括在所述第一内侧表面与所述第二内侧表面之...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。