System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液及其制备方法技术_技高网

一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液及其制备方法技术

技术编号:41076704 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-24 11:34
本发明专利技术涉及冷却液技术领域,具体涉及一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液及其制备方法,所述绝缘冷却液包含如下重量份组分:乙二醇45‑55份、丙二醇45‑55份、复合型纳米流体0.8‑1.5份、抗氧剂0.03‑0.08份、消泡剂0.01‑0.02份、分散剂0.01‑0.02份。本发明专利技术中,以乙二醇和丙二醇作为基础液体,通过添加入特殊制备的复合型纳米流体,能极大强化基础液体的散热性能,可以将产生的热量进行高效率的传输,从而实现很好的冷却效果,并且还具备了良好的绝缘性、防火安全性、稳定性和低腐蚀性,能够适用于芯片设备在开放式环境中的浸泡式直接冷却。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及冷却液,具体为一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液及其制备方法


技术介绍

1、随着计算机技术的快速发展,人们对于芯片设备的性能要求越来越高。随着芯片设备性能的提升,芯片设备的功耗也随之增加,同时伴随着电子设备高度集成化和小型化的发展趋势,这使得芯片设备的散热问题愈加突出。如何有效地散热,成为保证芯片设备稳定且长寿命运行的关键。鉴于液体作为传热介质具有良好的导热率和流动性,并在单位体积热容量方面有着空气无法比拟的优势,因此液冷技术得到广泛应用。

2、液冷技术一般分为直接冷却和间接冷却两大类。直接冷却是直接将电子设备浸入冷却介质或电子器件的发热部分与冷却介质接触来散热。间接冷却指热源不直接与冷却介质接触,而是通过冷板装置间接进行热交换。液冷技术中作为冷却介质的液体一般称为“冷却液”,冷却液的性质将直接影响液冷系统的设计及其散热效果。

3、例如公告号为cn115322753a的专利技术专利公开了一种冷却液及其制备方法和应用,包括如下组分:费托合成油和/或二甲基硅油95-105份、油性环氧树脂0.5-1.5份、分散剂0.0003-0.0007份和抗氧剂0.03-0.06份,该冷却液作为单相浸没式液冷技术用的绝缘冷却液,对光模块具有优异的兼容性,光模块无需封装即可直接应用于全浸没式液冷环境中;但是该冷却液的基础液体为费托合成油和/或二甲基硅油,添加的油性环氧树脂、分散剂以及抗氧剂,都不能增强基础液体的散热性能,导致冷却液的冷却效果不理想,不能实现热量的快速散失。


技术实现思路</b>

1、针对现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液及其制备方法。

2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:

3、一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,所述绝缘冷却液包含如下重量份组分:乙二醇45-55份、丙二醇45-55份、复合型纳米流体0.8-1.5份、抗氧剂0.03-0.08份、消泡剂0.01-0.02份、分散剂0.01-0.02份。

4、作为本专利技术的进一步优选方案,所述抗氧剂为2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚;

5、所述消泡剂为二甲基硅油;

6、所述分散剂为木质素磺酸钠。

7、作为本专利技术的进一步优选方案,所述复合型纳米流体的制备方法如下:

8、1)将1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐和多壁碳纳米管在研钵中研磨10-30min,然后加入去离子水,继续研磨5-15min,然后经磁力搅拌30-50min后,再经超声振动30-50min,得到多壁碳纳米管纳米流体;

9、2)将1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐和改性二硫化钼纳米片在研钵中研磨10-30min,加入阿拉伯树胶和去离子水,继续研磨5-10min,然后经磁力搅拌30-50min后,再经超声振动30-50min,得到改性二硫化钼纳米流体;

10、3)将等质量的多壁碳纳米管纳米流体和改性二硫化钼纳米流体混合,经磁力搅拌1-2h后,再经超声振动50-80min,充分混合后,即可得到所需的复合型纳米流体。

11、作为本专利技术的进一步优选方案,步骤1)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、多壁碳纳米管、去离子水的用量比例为(7-8)g:(2-3)g:(150-180)ml;

12、所述磁力搅拌的转速为500-800r/min;

13、所述超声振动的功率为200-300w。

14、作为本专利技术的进一步优选方案,步骤2)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、改性二硫化钼纳米片、阿拉伯树胶、去离子水的用量比例为(7-8)g:(2-3)g:(0.15-0.23)g:(150-180)ml;

15、所述磁力搅拌的转速为500-800r/min;

16、所述超声振动的功率为200-300w。

17、作为本专利技术的进一步优选方案,步骤3)中,所述磁力搅拌的转速为800-1200r/min;

18、所述超声振动的功率为300-500w。

19、作为本专利技术的进一步优选方案,所述改性二硫化钼纳米片的制备方法如下:

20、1)将三乙醇胺加入到去离子水中,加热至60-80℃,并恒温磁力搅拌30-50min,得到三乙醇胺溶液,再将硬脂酸加入到去离子水中,加热至60-80℃,并恒温磁力搅拌30-50min,得到硬脂酸溶液;

21、2)通过引流的方式,将三乙醇胺溶液缓慢导入硬脂酸溶液中搅拌30-50min,得到复合表面改性剂,并控制复合表面改性剂中,三乙醇胺和硬脂酸的质量比为(5.0-5.6):1;

22、3)将十二烷基硫酸钠和二硫化钼纳米片依次加入到去离子水中,加热至60-80℃,并恒温磁力搅拌30-50min,得到预分散液,然后通过引流的方式,将复合表面改性剂缓慢导入预分散液中,并在60-80℃下恒温磁力搅拌30-50min,然后冷却至室温,过滤后用去离子水反复洗涤,烘干后即可得到所需的改性二硫化钼纳米片。

23、作为本专利技术的进一步优选方案,步骤1)中,所述三乙醇胺溶液中,三乙醇胺、去离子水的用量比例为(10-15)g:(100-150)ml;

24、所述硬脂酸溶液中,硬脂酸、去离子水的用量比例为(2-3)g:(100-150)ml。

25、作为本专利技术的进一步优选方案,步骤3)中,所述十二烷基硫酸钠、二硫化钼纳米片、去离子水、复合表面改性剂的用量比例为(1-2)g:(4-6)g:(300-360)ml:(200-230)ml。

26、一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液的制备方法,具体包括如下步骤:

27、按重量份数计,称取各组分,将乙二醇、丙二醇、复合型纳米流体、抗氧剂、消泡剂、分散剂充分混合均匀,即可得到所需的绝缘冷却液。

28、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:

29、本专利技术中,采用1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体分散多壁碳纳米管、改性二硫化钼纳米片于去离子水,得到具有优异摩擦学特性的复合型纳米流体,利用1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐对多壁碳纳米管、改性二硫化钼纳米片进行处理,可以有效提高复合型纳米流体的zeta电位,纳米颗粒在空间位阻作用下有效分散于由乙二醇和丙二醇组成的基础液体中,在保持润湿性的同时也增强了导热能力,可以将产生的热量进行高效率的传输,而且,复合型纳米流体中层状、管状几何结构的多壁碳纳米管、改性二硫化钼纳米片可通过分散剂互相交联、吸附,从而在界面间可产生具有“类轴承”结构特征的叠层吸附簇,由此两种颗粒协同作用,强化传热性能,能极大强化基础液体的散热性能,从而实现很好的冷却效果。

30、同时,为了增强多改性二硫化钼纳米片的分散能力,从而有利于其可以更好的与多壁碳纳米管互相交联、吸附,本专利技术中对二硫化钼纳米片进行了改性处理,利用三乙醇胺和硬脂酸的反应来合成复合表面改性剂,由三乙醇胺提供头部的胺基多元醇,作为锚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述绝缘冷却液包含如下重量份组分:乙二醇45-55份、丙二醇45-55份、复合型纳米流体0.8-1.5份、抗氧剂0.03-0.08份、消泡剂0.01-0.02份、分散剂0.01-0.02份。

2.根据权利要求1所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述抗氧剂为2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚;

3.根据权利要求1所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述复合型纳米流体的制备方法如下:

4.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤1)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、多壁碳纳米管、去离子水的用量比例为(7-8)g:(2-3)g:(150-180)mL;

5.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤2)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、改性二硫化钼纳米片、阿拉伯树胶、去离子水的用量比例为(7-8)g:(2-3)g:(0.15-0.23)g:(150-180)mL;

6.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤3)中,所述磁力搅拌的转速为800-1200r/min;

7.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述改性二硫化钼纳米片的制备方法如下:

8.根据权利要求7所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤1)中,所述三乙醇胺溶液中,三乙醇胺、去离子水的用量比例为(10-15)g:(100-150)mL;

9.根据权利要求7所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤3)中,所述十二烷基硫酸钠、二硫化钼纳米片、去离子水、复合表面改性剂的用量比例为(1-2)g:(4-6)g:(300-360)mL:(200-230)mL。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述绝缘冷却液包含如下重量份组分:乙二醇45-55份、丙二醇45-55份、复合型纳米流体0.8-1.5份、抗氧剂0.03-0.08份、消泡剂0.01-0.02份、分散剂0.01-0.02份。

2.根据权利要求1所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述抗氧剂为2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚;

3.根据权利要求1所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,所述复合型纳米流体的制备方法如下:

4.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤1)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、多壁碳纳米管、去离子水的用量比例为(7-8)g:(2-3)g:(150-180)ml;

5.根据权利要求3所述的一种芯片浸没式冷却用绝缘冷却液,其特征在于,步骤2)中,所述1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、改性二硫化钼纳米片、阿拉伯树胶、去离子水的用量比例为(7-...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆晨王平马玉军廖泳琪张言才李聪邓昊张雄
申请(专利权)人:蜂鸟智超新能源技术上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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