一种多层掺杂源结构、高质量发射极及其可控制备方法技术

本发明专利技术提供一种多层掺杂源结构、高质量发射极及其可控制备方法，多层掺杂源结构包括层叠设置在晶硅衬底正面的介质层、氮硅化物层和掺杂源层，所述介质层为氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，所述掺杂源层为功能元素掺杂的掺硼非晶硅或功能元素掺杂的掺磷非晶硅，所述掺杂源层掺杂的功能元素为碳和/或氮。本发明专利技术以介质层、氮硅化物和功能元素掺杂的掺硼/磷非晶硅组成掺杂源结构，该多层掺杂源结构兼顾强激光吸收能力和高硼或磷掺杂浓度，有利于降低激光选择性发射极技术所需的激光功率和光照时间，同时这种多层掺杂源结构有利于降低表面硼浓度，减少缺陷，提升发射极钝化效果，从而能促进电池效率的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池，具体而言，涉及一种多层掺杂源结构、高质量发射极及其可控制备方法。

技术介绍

1、在晶硅电池正面制备选择性发射极(se)是提升电池效率的有效方法之一，选择发射极指在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，降低金属电极与硅片的接触电阻；而在电极以外的区域进行低浓度掺杂，可以降低扩散层的复合。选择性发射极的应用能够提高电池的开路电压和填充因子，从而提高电池转化效率。而利用激光进行se的制备是产业上常用的方法，且已经在p型发射极钝化和背面接触(perc)电池上得到产业化应用，可以使电池效率提升约0.3％～0.4％。

2、对于使用n型晶硅衬底的下一代产业化高效电池——隧穿氧化层钝化接触(topcon)电池来说，激光掺杂工艺仍然是个难题。这是因为硼在硅的固溶度低于磷，目前产业激光se技术所使用的硼源为bbr3或bcl3扩散形成的硼硅玻璃(bsg)，而采用bsg作为硼源存在以下问题：1)bsg硼源中硼浓度很低，将其中的硼原子掺杂到硅中的难度较大。2)bsg中硼的固溶度高于硅中硼的固溶度，进一步增加了bsg中硼原子引入硅中的难度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层掺杂源结构，其特征在于，包括层叠设置在晶硅衬底正面的介质层、氮硅化物层和掺杂源层，所述介质层为氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，所述掺杂源层为功能元素掺杂的掺硼非晶硅或功能元素掺杂的掺磷非晶硅，所述掺杂源层掺杂的功能元素为碳和/或氮。

2.根据权利要求1所述的多层掺杂源结构，其特征在于，所述掺杂源层的厚度为10～500nm，所述氮硅化物层的厚度为1～100nm，所述介质层的厚度为1～3nm。

3.根据权利要求1或2所述的多层掺杂源结构，其特征在于，所述氮硅化物层中氮元素的含量为0.5at％～50at％。

4.根据权利要求1或2所述的多层掺杂源结构，...

【技术特征摘要】

1.一种多层掺杂源结构，其特征在于，包括层叠设置在晶硅衬底正面的介质层、氮硅化物层和掺杂源层，所述介质层为氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，所述掺杂源层为功能元素掺杂的掺硼非晶硅或功能元素掺杂的掺磷非晶硅，所述掺杂源层掺杂的功能元素为碳和/或氮。

2.根据权利要求1所述的多层掺杂源结构，其特征在于，所述掺杂源层的厚度为10～500nm，所述氮硅化物层的厚度为1～100nm，所述介质层的厚度为1～3nm。

3.根据权利要求1或2所述的多层掺杂源结构，其特征在于，所述氮硅化物层中氮元素的含量为0.5at％～50at％。

4.根据权利要求1或2所述的多层掺杂源结构，其特征在于，所述掺杂源层中功能元素的含量为0.1at％～10at％，硼掺杂浓度为5e17～5e19cm-3，或者磷掺杂浓度为5e17～1e20cm-3。

5.一种高质量发射极的可控制备方法，其特征在于，使用如权利要求1-4任一所述的多层掺杂源结构，所述可控制备方法包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的高质量发射极的可控制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，杜浩江，曾俞衡，张贤，刘尊珂，廖明墩，杨阵海，刘伟，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：