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本发明提供一种多层掺杂源结构、高质量发射极及其可控制备方法，多层掺杂源结构包括层叠设置在晶硅衬底正面的介质层、氮硅化物层和掺杂源层，所述介质层为氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，所述掺杂源层为功能元素掺杂的掺硼非晶硅或功能元素掺杂的掺磷非晶硅，所述...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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