【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体技术制造领域，特别涉及一种键合装置以及封装方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展,半导体器件尺寸趋于高集成度、多功能化，现有的2d封装难以满足技术要求，而3d封装具有尺寸小、重量轻的特点，能够满足半导体技术发展需求而被广泛应用。键合是实现3d封装的关键工艺，其中，目前应用于3d封装的键合技术包括热压键合(tcb，thermal compression bond)工艺，应用于热压键合的设备包括键合装置，采用键合装置进行热压键合处理过程中，键合的效果受到芯片堆叠时温度分布均匀性影响，键合过程中芯片与芯片之间不均匀的温度分布会直接导致键合不佳。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种键合装置以及封装方法，至少有利于改善对多层芯片进行键合处理时，部分芯片键合效果较差的问题。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种键合装置，包括：产热部，所述产热部用于产生热量；键合头，所述键合头用于与待封装结构中的顶部芯片表面相接触，并向所述顶部芯片传导所述产热部...
【技术保护点】
1.一种键合装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料与所述第二键合头的材料相同。
3.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料与所述第二键合头的材料不同。
4.如权利要求3所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头具有第一热阻值，所述第二键合头具有第二热阻值，所述第一热阻值小于所述第二热阻值。
5.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料包括银、铜、金、铝中的任意一种或者多种的合金或者氮化铝、氧化铝、碳化硅中的任意一种陶瓷，所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种键合装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料与所述第二键合头的材料相同。
3.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料与所述第二键合头的材料不同。
4.如权利要求3所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头具有第一热阻值，所述第二键合头具有第二热阻值，所述第一热阻值小于所述第二热阻值。
5.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的材料包括银、铜、金、铝中的任意一种或者多种的合金或者氮化铝、氧化铝、碳化硅中的任意一种陶瓷，所述第二键合头的材料包括银、铜、金或铝中的任意一种或多种的合金或氮化铝、氧化铝、碳化硅中的任意一种陶瓷。
6.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述第一键合头的结构为具有镂空区的环形结构，其中，所述第二键合头设置于所述镂空区。
7.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述键合装置包括多个相分离的所述键合头。
8.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，还包括：控制器，所述控制器用于控制所述第一键合头和所述第二键合头分别朝向所述顶部芯片表面方向移动，以使所述第一键合头和所述第二键合头分别与所述顶部芯片相接触。
9.如权利要求1所述的键合装置，其特征在于，所述导热部的材料包括氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硼等绝缘材料中的任意一种，所述产热部的材料包括铜、铝、铂、铜、镍、铁中的任意一种或多种的合金。
10.一种封装方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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