【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路。
技术介绍
1、在半导体晶圆制造过程中，需要对晶圆进行超低温冷却，以保证制造过程的稳定性和晶圆的质量。
2、申请号为cn202123073811.9的技术给已经公开了一种高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台；此平台可以把直径300毫米的半导体晶圆在15秒到30秒时间内从室温内冷却到-120℃。高真空超低温半导体晶圆快速冷却平台由高真空超低温腔和自复叠低温制冷工质循环闭路系统构成；自复叠低温制冷工质循环闭路系统包括制冷工质循环管和超低温半导体晶圆平板，超低温半导体晶圆平板和半导体晶圆静电吸盘设置在高真空超低温半导体晶圆腔室内，半导体晶圆静电吸盘设置在超低温半导体晶圆平板上侧，超低温半导体晶圆平板上开有盘管通道，制冷工质循环管与盘管通道侧壁之间包裹有金属铟，制冷工质循环管内供制冷工质流动且制冷工质循环管两端分别伸出高真空超低温腔外侧，制冷工质循环管内通有制冷工质。传统的冷却方法通常采用制冷工况等制冷剂进行冷却，但现有技术方案缺少一种适用于超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路。
...【技术保护点】
1.一种超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征为：
2.根据权利要求1所述的超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征是：
3.根据权利要求1所述的超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征是：
4.根据权利要求1所述的超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征是：
【技术特征摘要】
1.一种超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征为：
2.根据权利要求1所述的超低温半导体晶圆冷却设备的冷却回路，其特征是：
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【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，陈君昊，吴绍杰，
申请(专利权)人：普乐合肥光技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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