【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及忆阻器，更具体地，涉及一种可压力调控的忆阻器阵列及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着物联网、元宇宙等新兴人工智能信息技术的蓬勃发展，中央处理器需要存储和处理的信息量呈指数式膨胀增长。这使得在通过海量前端数据进行机器学习和优化的大数据时代中，基于数据总线交换信息的传统冯诺依曼架构计算机系统已无法满足需求，因此“存算一体”的新型架构应运而生。近年来，基于两端忆阻器的类脑神经形态计算系统得到了显著的发展，为实现具有大规模、高算力信息处理单元提供了理想方案。
2、忆阻器经过近十几年的发展，因其数据传输速率快、存取时间短、功耗低以及与互补金属氧化物半导体(cmos)技术兼容等优点，成为下一代高容量信息存储和计算系统的有力竞争者。然而，传统忆阻器阵列只能通过电信号进行调节，这极大地限制了其在感知计算领域的应用。为探索忆阻器阵列新的调节方式，研究者开始将基于忆阻器的柔性人工突触器件集成到带有传感器的多模式融合传感电子皮肤中，以实现近传感或传感内计算。这种设计模仿了人体感知系统，通过柔性传感器和外部电路构建人工传感器系统，...
【技术保护点】
1.一种可压力调控的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1所述忆阻器底电极为惰性电极。
3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1所述碳化钛分散液浓度为5～10mg/ml。
4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1所述旋涂的转速为800～2000rpm，单次时间为30～180s。
5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1所述等离子体氧化处理的时间为1～30min。
6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤...
【技术特征摘要】
1.一种可压力调控的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1所述忆阻器底电极为惰性电极。
3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1所述碳化钛分散液浓度为5～10mg/ml。
4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1所述旋涂的转速为800～2000rpm，单次时间为30～180s。
5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤s1所述等离子体氧化处理的时间为1～30min。
6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。