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本发明涉及一种可压力调控的忆阻器阵列及其制备方法和应用。该可压力调控的忆阻器阵列的制备方法包括以下步骤：S1.在柔性基底上形成若干条忆阻器底电极，然后旋涂碳化钛分散液，再进行等离子体氧化处理，得到异质结薄膜‑底电极‑柔性基底；S2.在异质结...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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