【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及传感器技术和微机电系统，尤其涉及一种mems压力传感器及其制作方法。
技术介绍
0、
技术介绍
1、随着社会智能化的发展需求，压力传感器的应用领域越来越广，需求量越来越大；目前以mems(micro electro mechanical systems，微机电系统)技术制作的压力传感器已成为主流，mems压阻式压力传感器以其低成本、高灵敏度、高分辨率受到市场的青睐。
2、但是，现有技术中，压阻式压力传感器存在压敏电阻与衬底所形成pn结漏电，尤其是在高温下漏电问题；压阻式压力传感器存在性能受温度影响较大问题。
3、因此，有必要提出一种技术方案来克服上述问题。
技术实现思路
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技术实现思路
1、本专利技术的目的之一在于提供一种mems压力传感器及其制作方法，其可以阻断敏感结构与其下方衬底之间的漏电流，同时阻止敏感结构中的杂质进一步扩散，从而提高敏感结构的掺杂浓度，降低温度对压阻式压力传感器的输出特性的影响。
2、根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种mems压力传感器，其包括：第一衬底，其具有正面和背面；结构层，其包括器件层、绝缘阻挡层和掺杂层，且所述器件层、绝缘阻挡层和掺杂层自所述第一衬底的正面且沿所述第一衬底的背面向正面的指向依次层叠设置；背腔，其设置于所述第一衬底中；敏感结构，其是通过图形化所述结构层远离所述第一衬底的一侧形成的，且所述敏感结构与所述背腔相对。
3、根据本专利技
4、与现有技术相比，本专利技术中的mems压力传感器及其制作方法，其以绝缘阻挡层代替pn结，以阻断漏电流；同时阻止敏感结构中的杂质进一步扩散，从而提高敏感结构的掺杂浓度，降低温度对压阻式压力传感器的输出特性的影响。
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1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
9.根据权利要求1-5任一所述的MEMS压力传感器，其特征在于，
10.一种MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，其包括：
11.根据权利要求10所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底的正面与所述第二衬底的正面键合包括：
12.根据权利要求11所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，其还包括：
13.根据权利要求12所述的MEMS压力传感器的制作方
14.根据权利要求10所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，
15.根据权利要求10所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底的正面与所述第二衬底的正面键合包括：
16.根据权利要求10所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底的正面与所述第二衬底的正面键合包括：
17.根据权利要求15或16所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，其还包括：
18.根据权利要求10-16任一所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，
19.根据权利要求10-16任一所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，
20.根据权利要求10所述的MEMS压力传感器的制作方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种mems压力传感器，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的mems压力传感器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的mems压力传感器，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的mems压力传感器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的mems压力传感器，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一所述的mems压力传感器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的mems压力传感器，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的mems压力传感器，其特征在于，
9.根据权利要求1-5任一所述的mems压力传感器，其特征在于，
10.一种mems压力传感器的制作方法，其特征在于，其包括：
11.根据权利要求10所述的mems压力传感器的制作方法，其特征在于，将所述第一衬底的正面与所述第二衬底的正面键合包括：
12.根据权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员：马清杰，
申请(专利权)人：苏州跃芯微传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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