一种微波诱导等离子体蚀刻的方法及系统装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微波诱导等离子体蚀刻的方法及系统装置，属于技术等离子体蚀刻领域，其包括工控机、等离子腔体、工件，所述工控机电性连接有显示器，所述工控机电性连接有微波发生器，所述微波发生器通过同轴线缆连接于等离子腔体，所述等离子腔体上设有观察窗，所述等离子腔体内设有气体放电管，所述气体放电管的一端连接有气管，所述气管连接有气瓶，本发明专利技术利用微波能量将气体分子激发成为等离子体，并通过等离子体在材料表面的化学反应和物理作用实现对材料的蚀刻和加工，无须借由监控基材上电流脉衡来决定反向电压大小的方式，且可避免改以实验的方式来决定反向电压的大小所生的耗时、不精确以及无效率等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于等离子体蚀刻，具体为一种微波诱导等离子体蚀刻的方法及系统装置。

技术介绍

1、等离子体是一种高能量、高速度、高温度的电离气体，它在和气体或液体接触的过程中可以引起化学反应、物理作用和化学氧化等过程，从而实现对材料表面的刻蚀和加工，在微波诱导等离子体蚀刻中，微波能量被用于激发气体分子成为等离子体，等离子体中的高能粒子对材料表面进行轰击和蚀刻，从而实现对材料的加工和改性。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种微波诱导等离子体蚀刻的方法及系统装置。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：包括工控机、等离子腔体、工件，所述工控机电性连接有显示器，所述工控机电性连接有微波发生器，所述微波发生器通过同轴线缆连接于等离子腔体，所述等离子腔体上设有观察窗，所述等离子腔体内设有气体放电管，所述气体放电管的一端连接有气管，所述气管连接有气瓶，所述气体放电管底部设有等离炬，所述等离炬贯穿等离子腔体，所述等离炬位于工件的正上方；

3、作为本技术方案的进一步优选的：所述气瓶包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，包括工控机、等离子腔体、工件，其特征在于：所述工控机电性连接有显示器，所述工控机电性连接有微波发生器，所述微波发生器通过同轴线缆连接于等离子腔体，所述等离子腔体上设有观察窗，所述等离子腔体内设有气体放电管，所述气体放电管的一端连接有气管，所述气管连接有气瓶，所述气体放电管底部设有等离炬，所述等离炬贯穿等离子腔体，所述等离炬位于工件的正上方。

2.根据权利要求1所述的一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，其特征在于：所述气瓶包括AR气瓶、CF4气瓶、O2气瓶、H2气瓶、N2气瓶。

3.根据权利要求2所述的一种微波诱导等离子体蚀刻...

【技术特征摘要】

1.一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，包括工控机、等离子腔体、工件，其特征在于：所述工控机电性连接有显示器，所述工控机电性连接有微波发生器，所述微波发生器通过同轴线缆连接于等离子腔体，所述等离子腔体上设有观察窗，所述等离子腔体内设有气体放电管，所述气体放电管的一端连接有气管，所述气管连接有气瓶，所述气体放电管底部设有等离炬，所述等离炬贯穿等离子腔体，所述等离炬位于工件的正上方。

2.根据权利要求1所述的一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，其特征在于：所述气瓶包括ar气瓶、cf4气瓶、o2气瓶、h2气瓶、n2气瓶。

3.根据权利要求2所述的一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，其特征在于：所述气瓶上设有气瓶开关，所述气管上设有气管开关。

4.根据权利要求3所述的一种微波诱导等离子体蚀刻的系统装置，其特征在于：所述工件与等离炬之间的间隔为800mm以上，并使所述等离子腔体内的压力为40mtorr至60mtorr。

5.一种应用于所述微波诱导等离子体蚀刻的系统装置的方法，其特征在于；对所述工件的电极提供直流电力而产生静电，对所述工件进行静电保持，以及蚀刻工序，在该静电保持工序之后进行减压，利用...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄锋，
申请(专利权)人：苏州弗为科技有限公司，
类型：发明
国别省市：