【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及2.5d/3d电子封装，特别涉及一种玻璃通孔电铸铜实心填充的方法及装置。
技术介绍
1、
2、基于硅通孔（through-silicon via，tsv）转接板的2.5d/3d封装能通过在垂直方向不同功能的芯片或晶圆的集成来实现更高密度的封装。然而，tsv转接板在高频工作条件下传输信号的串扰和损耗较大，限制了tsv转接板在高频场景中的应用，且tsv制备工艺复杂、成本高，难以在民品中大规模商用。为解决上述问题，玻璃通孔（through-glass via，tgv）转接板技术应运而生，有望用于解决tsv转接板由于硅衬底损耗带来高频或高速信号传输特性退化、材料成本高与工艺复杂等问题。
3、当前，tgv电铸铜实心填充主要有3种方法，一种是借助新型镀铜添加剂并配合电流密度调整，实现通孔1/2处在电铸过程中加速生长并发生桥接，从而将tgv填充转换为2个盲孔填充。第二种是先双面保形电铸加厚侧壁铜层，随后更换镀液填实一端孔口，这种填充方式也称为“蝶形填充（butterfly model）”。第三种也是最为常见的方法...
【技术保护点】
1.一种玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2. 根据权利要求1 所述的玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，步骤1）中所述的阴极板采用不锈钢面板或镀铜硅片。
3. 根据权利要求1 所述的玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，步骤2）中所述的电铸液的配比如下：五水硫酸铜80-150克/升、硫酸30-150克/升、氯离子15-45毫克/升。
4. 根据权利要求1 所述的玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，步骤3）中所述的阳极板采用磷铜阳极板。
5.根据权利要求1所述的玻璃通孔电铸铜实心填...
【技术特征摘要】
1.一种玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2. 根据权利要求1 所述的玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，步骤1）中所述的阴极板采用不锈钢面板或镀铜硅片。
3. 根据权利要求1 所述的玻璃通孔电铸铜实心填充的方法，其特征在于，步骤2）中所述的电铸液的配比如下：五水硫酸铜80-150克/升、硫酸30-150克/升、氯离子15-45毫克/升。
4. 根据权利要求1 所述的...
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