【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子芯片，特别是涉及一种晶圆通孔的填充方法以及一种晶圆通孔填充结构。
技术介绍
1、随着低温超导路径量子计算机的发展，量子比特数量的逐渐增多，传统的二维布线结构已经越来越难以满足比特排布需求，倒装焊工艺结合硅通孔技术(through siliconvia，tsv)的超导连接技术才是未来低温超导量子芯片实现三维架构的可靠路径。对于量子计算，tsv是指在硅片上进行微通孔加工，在孔内填充低温超导材料，通过tsv实现量子芯片之间的超导信号通路。tsv另外的优点是节省了外部超导材料所占的空间。可以使量子芯片间实现最紧密的相连与三维结构。由于量子芯片间互联长度的减小，提高了信号芯片间传导的效率，从而提高量子计算机的运行速度。
2、目前超导tsv的连接方案是通过pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)、cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)、原子层沉积等方式将超导材料填充到tsv孔内，pvd、cvd对于高深宽比的结构由于其镀膜特点，常无法满足保型性完美覆盖。利用原子层沉积方式虽能满足一次沉积衬底上下两面以及tsv孔径内的需求，但由于缺少相应的夹具，常无法充分发挥原子层沉积的优点。另外利用真空高温熔融外加通入还原性h2、co等气体的方式，虽能填充到tsv孔内，但该方式装备复杂，且通入的气体具有危险性。
3、所以如何提供一种简单高效的晶圆通孔填充方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种晶圆通孔的填充方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对融化的固态超导材料进行固化，并在固化后将所述TSV衬底与所述晶圆解键合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述超导材料为铟或锡。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述解键合温度的取值范围为75℃至85℃，包括端点值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，融化固态超导材料包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述TSV通孔的深度不小于400μm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述TSV通孔的直径不大于200μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述TSV通孔未封闭的开口向所述TSV通孔内填入固态超导材料包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，融化固态超导材料，使融化后的超导材料填充所述TSV通孔包括：
10.一种晶圆通孔填充结构，其特征在于，为由权利要求1至9任一项所述一种晶圆通孔的填充方法所制备而成的晶圆
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆通孔的填充方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对融化的固态超导材料进行固化，并在固化后将所述tsv衬底与所述晶圆解键合包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述超导材料为铟或锡。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述解键合温度的取值范围为75℃至85℃，包括端点值。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，融化固态超导材料包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：任阳，李泽东，李成鑫，代志鹏，
申请(专利权)人：量子科技长三角产业创新中心，
类型：发明
国别省市：
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