【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路及其制造方法，并且更具体地，涉及包括具有图案的金属层的标准单元的集成电路及其制造方法。
技术介绍
1、集成电路可以基于标准单元来设计。例如，可以通过根据限定集成电路的数据放置标准单元并对放置的标准单元进行布线来生成集成电路的布局。随着半导体制造工艺越来越精细，标准单元中的每个图案的尺寸可以减小，并且标准单元的尺寸也可以减小。随着标准单元的尺寸的减小，标准单元中的单元图案的密度增加，并且用于将半导体器件彼此互连的线的密度也增加。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路，包括在第一水平方向上具有单元高度的标准单元，其中，标准单元包括：金属层，包括沿第一水平方向延伸的图案和在第二水平方向上彼此间隔开的多个轨道；以及至少一个过孔，将金属层连接到金属层的下部图案，其中，多个轨道包括多个单元轨道和至少一个配电网络(pdn)轨道，其中，单元图案形成在多个单元轨道上，并且pdn图案或布线图案形成在至少一个配电网络(pdn)轨道上，其中，第一图案与标准单元的单元边界间隔开第一长度，并且形成在多个单元轨道中的第一单元轨道上，并且其中，第二图案与标准单元的单元边界间隔开不同于第一长度的第二长度，并且形成在多个单元轨道中的第二单元轨道上。
2、根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路，包括由单元边界限定的标准单元，其中，该标准单元包括：第一金属层和第二金属层，顺序地堆叠在衬底上，并且在第一金属层和第二金属层的每一个中，形成有多个图案；以及至少一个过
3、根据本专利技术构思的实施例，一种制造集成电路的方法，该方法包括：形成第一标准单元，该第一标准单元包括形成在金属层上的交错图案和长短图案中的至少一个；以及考虑到尖端到尖端空间要求，将第二标准单元与第一标准单元在第一水平方向上相邻放置，第二标准单元包括形成在金属层上的交错图案和/或长短图案中的至少一个，其中，在金属层上，形成有沿第一水平方向延伸的图案，并且设置有在第二水平方向上彼此间隔开的多个轨道，其中，交错图案包括第一图案和第二图案，其中，第一图案形成在多个轨道中的第一轨道上，并且与单元边界间隔开第一长度，并且第二图案形成在多个轨道中的第二轨道上，并且与单元边界间隔开不同于第一长度的第二长度，其中，长短图案包括第三图案和第四图案，其中，第三图案形成在多个轨道中的第一轨道上，并且与单元边界间隔开第三长度，并且第四图案形成在多个轨道中的第二轨道上，并且与单元边界间隔开不同于第三长度的第四长度，其中，交错图案的第一图案和交错图案的第二图案在第一水平方向上具有彼此相同的长度，并且其中，长短图案的第三图案的长度与长短图案的第四图案的长度在第一水平方向上不同。
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1.一种集成电路，包括在第一水平方向上具有单元高度的标准单元，其中，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，第三图案与所述标准单元的单元边界间隔开所述第一长度，并且形成在所述多个单元轨道中的第三单元轨道上，
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括至少一条栅极线，所述至少一条栅极线沿所述第一水平方向延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开，并且
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元被连续地放置在具有第一高度的第行和具有第二高度的第二行中。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一高度等于所述第二高度。
9.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一高度不同于所述第
10.一种集成电路，包括由单元边界限定的标准单元，其中，所述标准单元包括：
11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
12.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
13.根据权利要求10所述的集成电路，其中，在所述第一金属层上，形成有沿所述第二水平方向延伸的图案，并且设置有在所述第一水平方向上彼此间隔开的多个轨道，
14.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述标准单元包括沿所述第一水平方向延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开的多条栅极线，并且
15.根据权利要求10所述的集成电路，其中，第三图案与所述标准单元的单元边界间隔开所述第一长度，并且形成在所述多个单元轨道中的第三单元轨道上，
16.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一标准单元和所述第二标准单元中的每一个包括所述交错图案，
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一标准单元和所述第二标准单元中的每一个包括所述长短图案，
19.根据权利要求16所述的方法，还包括：将包括形成在所述金属层上的交错图案的第三标准单元与所述第一标准单元和所述第二标准单元在所述第一水平方向上相邻放置，
20.根据权利要求16所述的方法，还包括：在所述多个轨道中的未形成所述交错图案和所述长短图案的轨道上形成布线图案，所述布线图案电连接到所述第一标准单元的输入/输出引脚。
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括在第一水平方向上具有单元高度的标准单元，其中，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，第三图案与所述标准单元的单元边界间隔开所述第一长度，并且形成在所述多个单元轨道中的第三单元轨道上，
5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括至少一条栅极线，所述至少一条栅极线沿所述第一水平方向延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开，并且
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述标准单元被连续地放置在具有第一高度的第行和具有第二高度的第二行中。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一高度等于所述第二高度。
9.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一高度不同于所述第二高度。
10.一种集成电路，包括由单元边界限定的标准单元，其中，所述标准单元包括：
11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述第一图案和所述第二图案在所述第二水平方向上彼此相邻，并且
【专利技术属性】
技术研发人员：郑珉在，赵财喜，南乾佑，都桢湖，柳志秀，俞炫圭，李昇映，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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