【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件以及制备方法。
技术介绍
1、现有的高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, hemt），在制备外延层远离衬底表面的绝缘层内的第一通孔以及外延层内的第二通孔的过程中，使用的光刻胶层的数量多，使得制备成本很高，且第一通孔和第二通孔的刻蚀精度不高，进而影响半导体器件的良率。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件以及制备方法，以减少光刻胶层的使用数量，降低制备成本，提高第一通孔和第二通孔的刻蚀精度，提高半导体器件的良率。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、制备半导体功能层，其中，所述半导体功能层至少包括衬底和外延层，所述外延层远离所述衬底的表面形成有第一绝缘层和第一导电层，所述第一绝缘层内设置有第一导电结构，所述第一导电层位于所述第一绝缘层远离所述外延层的表面，所述第一导电层和所述第一导电结构连接；
4、在所述第一导电层...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，以所述光刻胶层作为掩膜版，对所述外延层进行刻蚀，以形成第二通孔之前还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，以所述光刻胶层作为掩膜版，对所述外延层进行刻蚀，以形成第二通孔之后还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，制备半导体功能层包括：
5.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一导电层远离所述第一绝缘层的表面形成第二导电结构包括：>
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，以所述光刻胶层作为掩膜版，对所述外延层进行刻蚀，以形成第二通孔之前还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，以所述光刻胶层作为掩膜版，对所述外延层进行刻蚀，以形成第二通孔之后还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，制备半导体功能层包括：
5.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述第一导电层远离所述第一绝缘层的表面形成第二导电结构包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层和所述凹...
【专利技术属性】
技术研发人员：李庆，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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