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本发明提供了一种半导体器件以及制备方法。该半导体器件的制备方法包括：制备半导体功能层，其中，半导体功能层至少包括衬底和外延层，外延层远离衬底的表面形成有第一绝缘层和第一导电层；在第一导电层远离外延层的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层和凹槽的底部...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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