【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器的制备，具体为一种高频大电流双面金属化薄膜电容器及其制备方法。
技术介绍
1、薄膜电容是一种电子元件，它利用薄膜材料和电介质来存储电荷，并在电路中起到储能和滤波等功能。相比于其他类型的电容器，薄膜电容具有较高的稳定性、可靠性和温度特性。
2、薄膜电容是以塑料薄膜为电介质制成的电容器，也称为塑料薄膜电容。薄膜电容器的电极通常采用金属箔或金属化薄膜，介质材料通常为聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜。
3、经检索，申请号为202010871920.6的专利公开了一种薄膜电容器的制备方法以及薄膜电容器，其中，该制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成牺牲层、介电薄膜层、第一电极层和电容器基底层；去除所述衬底和所述牺牲层；在所述介电薄膜层远离所述第一电极层的一侧形成第二电极层，以得到薄膜电容结构；采用3d打印技术对所述薄膜电容进行封装。通过上述方法可以制备得到耐压高、寿命长、温度特性稳定、损耗低的薄膜电容器，可用于各种相关电子设备及大规模集成电路等。
4、当前的普通薄膜电容设计无法达到超大电流的效果，且市面上存在的大电流电容内部采用铝箔设计，导致电容器的体积大，制备成本高，因此我们需要提出一种高频大电流双面金属化薄膜电容器及其制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高频大电流双面金属化薄膜电容器及其制备方法，通过将以往高频大电流电容芯子机构中的铝箔改成两条双面的金属化薄膜，可达到减小电容器体积的目的，改
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，包括封装外壳、封装在封装外壳内部的多个并联设置的电容器芯子结构，所述电容器芯子结构上通过固定件连接有两个铜排，所述铜排与封装外壳通过连接件连接；
3、所述电容器芯子结构包括基底，所述基底的表面沉积有底部电极，所述底部电极的表面涂覆有电介质层，所述电介质层的表面沉积有顶部电极，所述底部电极和顶部电极均为双面金属化薄膜。
4、优选的，所述封装外壳的不相邻两侧边的底部均一体成型设置有翻边，每一个所述翻边上均开设有两个用于安装电容器的安装孔。
5、优选的，所述封装外壳的长度为101.5±1mm、宽度为70±1mm、高度为57.5±1mm，所述安装孔的直径为6.4±1mm，所述翻边的厚度为1.57±1mm，位于同一个所述翻边上的两个安装孔之间的轴心距为50.8±1mm，位于不同所述翻边上的两个安装孔之间的轴心距为82.5±1mm。
6、优选的，两个所述铜排呈中心对称设置，每一个所述铜排通过十二个固定件连接在电容器芯子结构的一侧，每一个所述电容器芯子结构上安装有四个固定件。
7、优选的，所述底部电极和顶部电极的一端均设为阶梯状，所述电介质层位于底部电极和顶部电极之间的间隙中，且所述底部电极和顶部电极的宽度相同，所述电介质层的宽度小于底部电极和顶部电极的宽度。
8、优选的，所述基底的一端开设有阶梯槽，所述基底的表面开设有两组对齐设置的凹槽。
9、优选的，所述基底的两侧均开设有锯齿状的缺口。
10、基于以上叙述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，本专利技术还提供了一种高频大电流双面金属化薄膜电容器的制备方法，包括如下步骤：
11、s1、准备基底：选择玻璃、陶瓷或聚合物作为基底，并确保基底具有良好的平整度和绝缘性能；
12、s2、清洗基底：使用溶剂和超声波清洗基底表面，去除尘埃、油脂和其他杂质；
13、s3、沉积第一层金属化薄膜：采用物理气相沉积或化学气相沉积，在基底上沉积第一层金属化薄膜，作为底部电极；
14、s4、电介质涂覆：在底电极上均匀涂覆一层电介质材料，形成电介质层；
15、s5、沉积第二层金属化薄膜：采用物理气相沉积或化学气相沉积，在电介质层上沉积第二层金属化薄膜，作为顶部电极；
16、s6、将顶部电极、电介质层和底部电极起来，形成电容器芯子结构，并将多个电容器芯子结构并联；
17、s7、金属连接：使用固定件、铜排和连接件与并联的电容器芯子结构进行连接，形成电容器的半成品；
18、s8、封装：使用封装外壳对半成品进行封装，以保护电容器结构，并提高其稳定性和耐环境性。
19、优选的，所述底部电极和顶部电极采用的金属材料为铝或铜。
20、优选的，所述电介质材料选用氧化铝或二氧化硅。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
22、本专利技术通过将以往高频大电流电容芯子机构中的铝箔改成两条双面的金属化薄膜，可达到减小电容器体积的目的，改善后的电容器的体积可减小10％，并将普通薄膜电容改成五卷一及以上设计，增加喷金层接触效果，且引出端使用铜排分布电流走向，使电容达到最小的esr及esl，大大减少电容发热，增加电容器的散热能力，使电容电气性能更稳定，寿命更长久。
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1.一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：包括封装外壳(1)、封装在封装外壳(1)内部的多个并联设置的电容器芯子结构(5)，所述电容器芯子结构(5)上通过固定件(4)连接有两个铜排(3)，所述铜排(3)与封装外壳(1)通过连接件(2)连接；
2.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述封装外壳(1)的不相邻两侧边的底部均一体成型设置有翻边(11)，每一个所述翻边(11)上均开设有两个用于安装电容器的安装孔(12)。
3.根据权利要求2所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述封装外壳(1)的长度为101.5±1mm、宽度为70±1mm、高度为57.5±1mm，所述安装孔(12)的直径为6.4±1mm，所述翻边(11)的厚度为1.57±1mm，位于同一个所述翻边(11)上的两个安装孔(12)之间的轴心距为50.8±1mm，位于不同所述翻边(11)上的两个安装孔(12)之间的轴心距为82.5±1mm。
4.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：两个所述铜排(3)
5.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述底部电极(52)和顶部电极(54)的一端均设为阶梯状，所述电介质层(53)位于底部电极(52)和顶部电极(54)之间的间隙中，且所述底部电极(52)和顶部电极(54)的宽度相同，所述电介质层(53)的宽度小于底部电极(52)和顶部电极(54)的宽度。
6.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述基底(51)的一端开设有阶梯槽(56)，所述基底(51)的表面开设有两组对齐设置的凹槽(57)。
7.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述基底(51)的两侧均开设有锯齿状的缺口(55)。
8.一种高频大电流双面金属化薄膜电容器的制备方法，基于权利要求1-7任意一项所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器的制备方法，其特征在于：所述底部电极(52)和顶部电极(54)采用的金属材料为铝或铜。
10.根据权利要求9所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器的制备方法，其特征在于：所述电介质材料选用氧化铝或二氧化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：包括封装外壳(1)、封装在封装外壳(1)内部的多个并联设置的电容器芯子结构(5)，所述电容器芯子结构(5)上通过固定件(4)连接有两个铜排(3)，所述铜排(3)与封装外壳(1)通过连接件(2)连接；
2.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述封装外壳(1)的不相邻两侧边的底部均一体成型设置有翻边(11)，每一个所述翻边(11)上均开设有两个用于安装电容器的安装孔(12)。
3.根据权利要求2所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述封装外壳(1)的长度为101.5±1mm、宽度为70±1mm、高度为57.5±1mm，所述安装孔(12)的直径为6.4±1mm，所述翻边(11)的厚度为1.57±1mm，位于同一个所述翻边(11)上的两个安装孔(12)之间的轴心距为50.8±1mm，位于不同所述翻边(11)上的两个安装孔(12)之间的轴心距为82.5±1mm。
4.根据权利要求1所述的一种高频大电流双面金属化薄膜电容器，其特征在于：两个所述铜排(3)呈中心对称设置，每一个所述铜排(3)通过十二个固定件(4)连接在电容器芯子结构(5)的一侧，每一个所述电容器芯子结构(5)上安装有四个...
【专利技术属性】
技术研发人员：林乔伟，王凤英，蔡政雄，
申请(专利权)人：东莞凯励电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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