【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种mosfet芯片结构，具体是一种集成温度检测的mosfet芯片结构。
技术介绍
1、mosfet是一种由金属氧化物半导体构成的三极管，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流，是一种基于场效原理的半导体器件。现有mos版图主要有两部分组成，一部分为提供gate信号区域，另一部分为提供source信号区域，构成了基本的mos版图区域，如图所示。
2、但是，传统的温度采样电路需要将温度传感器与mos进行合封，但由于温度传感器在器件外部，通过采样方式获得器件的结温，因此其表示的结温与实际仍存在较大差异。
3、因此，本领域技术人员提供了一种集成温度检测的mosfet芯片结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种集成温度检测的mosfet芯片结构，在原有mos的版图布局基础上，拓展部分区域以增加电流检测及温度检测功能，大幅减少外部电路的布置方式；同时由于检测功能集成在mos器件内，一定程度可增加检测精度，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、一种集成温度检测的mosfet芯片结构，包括：芯片主体，以及设置在芯片主体表面的内温度检测机构；其中，所述内温度检测机构的一侧设有内电流检测机构。
4、作为本技术进一步的方案：所述内温度检测机构，具体包括：设置在芯片主体表面中间位置的第一半导体薄膜，所述第一半导体薄膜的表面设有第一p
5、作为本技术再进一步的方案：所述第一金属布线通过蒸发/溅射形成在第一阻挡层表面。
6、作为本技术再进一步的方案：所述内电流检测机构，具体包括：设置在芯片主体表面中间位置的第二半导体薄膜，所述第二半导体薄膜的表面设有第二p区，且第二p区的一侧设有第二n+区，所述第二p区与第二n+区的表面共同设有第二阻挡层，且第二p区的内部嵌设有第二p+区，所述第二p+区与第二n+区之间设有第二金属布线。
7、作为本技术再进一步的方案：所述第二金属布线通过蒸发/溅射形成在第二阻挡层表面。
8、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
9、本申请在原有mos的版图布局基础上，拓展部分区域以增加电流检测及温度检测功能，大幅减少外部电路的布置方式；同时由于检测功能集成在mos器件内，一定程度可增加检测精度。其中，对于温度检测功能，首先温度检测位置在整个芯片中央位置，以保证温度的准确性，通过金属布线将打线区域引至芯片外围，方便后续封装打线；其次，根据pn结温度特性，以及所需电流检测精度，确认pn结不同面积，以达到期望的温度检测功能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种集成温度检测的MOSFET芯片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成温度检测的MOSFET芯片结构，其特征在于，所述第一金属布线通过蒸发/溅射形成在第一阻挡层表面。
3.根据权利要求1所述的一种集成温度检测的MOSFET芯片结构，其特征在于，所述内电流检测机构，具体包括：设置在芯片主体表面中间位置的第二半导体薄膜，所述第二半导体薄膜的表面设有第二P区，且第二P区的一侧设有第二N+区，所述第二P区与第二N+区的表面共同设有第二阻挡层，且第二P区的内部嵌设有第二P+区，所述第二P+区与第二N+区之间设有第二金属布线。
4.根据权利要求3所述的一种集成温度检测的MOSFET芯片结构，其特征在于，所述第二金属布线通过蒸发/溅射形成在第二阻挡层表面。
【技术特征摘要】
1.一种集成温度检测的mosfet芯片结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种集成温度检测的mosfet芯片结构，其特征在于，所述第一金属布线通过蒸发/溅射形成在第一阻挡层表面。
3.根据权利要求1所述的一种集成温度检测的mosfet芯片结构，其特征在于，所述内电流检测机构，具体包括：设置在芯片主体表面中间位置的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟东，
申请(专利权)人：禾纳半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。