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本技术公开了一种集成温度检测的MOSFET芯片结构，属于MOSFET芯片结构领域，包括：芯片主体，以及设置在芯片主体表面的内温度检测机构；其中，内温度检测机构的一侧设有内电流检测机构，内温度检测机构，具体包括：设置在芯片主体表面中间位置的第...
该专利属于禾纳半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过禾纳半导体（深圳）有限公司授权不得商用。

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