一种基于5G频段大宽带多传输零点LTCC带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于5G频段大宽带多传输零点LTCC带通滤波器，包括陶瓷基体，陶瓷基体上设有底部输入电极INPUT、底部输出电极OUTPUT和接地电极GND，陶瓷基体内设有数量为三个的串联电容、数量为两个的并联电容、数量为四个的并联电感、一个串联电感、一个交叉耦合电容和两个接地电容；两个并联电感和两个并联电容构成两个串联谐振器。本发明专利技术具有高可靠性、低插损、大宽带，多传输零点、远端带外抑制效果好、内部设计结构上电容层与电感层采用远距离隔离，抑制相互干扰，多个深通孔结构设计，利用通孔的电感效应优化电路模型，实现多阶谐振器和交叉耦合效果，增强带外抑制，体积小、质量轻、易于集成、低成本等优点，适合大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频滤波器领域，特别涉及一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器。

技术介绍

1、低温共烧陶瓷作为一种适用范围很广的高密度封装技术,以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化和模块化的首选方式,普遍应用于多层芯片电路模块化设计中。ltcc技术为基础设计和生产的射频微波元件和模块包括滤波器、多工器、双工器、天线、接收前端模组、天线开关模组等。为了得到陡峭的衰减边沿以及更好的阻带特性，需要增加滤波器的阶数，但这会进一步增大电路复杂度和电路尺寸，并且在通带内引入更多的插入损耗。除了在成本和集成封装等优势之外,在布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计的多样性及高频性能等方面都具有许多优点。

2、ltcc技术在5g和6g通信系统中主要涉及射频前端模块、天线模块、射频连接器和传感器模块等方面，为实现高频率、高效率和高可靠性的通信和传感应用提供了重要支持。

3、现有的带通滤波器生产成本较高，体积较大，因此提出一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种基于5G频段大宽带多传输零点LTCC带通滤波器，包括陶瓷基体(1)，所述陶瓷基体(1)上设有底部输入电极INPUT、底部输出电极OUTPUT和接地电极GND，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种基于5G频段大宽带多传输零点LTCC带通滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体(1)内部共分为十层，所述接地电极GND位于陶瓷基体第十层下方，所述并联电容位于陶瓷基体(1)的第七层与第九层之间。

3.根据权利要求2所述的一种基于5G频段大宽带多传输零点LTCC带通滤波器，其特征在于，所述并联电感(4)包括第一孔柱(41)、第二孔柱(42)和双层金属极板(43)，第一...

【技术特征摘要】

1.一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器，包括陶瓷基体(1)，所述陶瓷基体(1)上设有底部输入电极input、底部输出电极output和接地电极gnd，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器，其特征在于，所述陶瓷基体(1)内部共分为十层，所述接地电极gnd位于陶瓷基体第十层下方，所述并联电容位于陶瓷基体(1)的第七层与第九层之间。

3.根据权利要求2所述的一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器，其特征在于，所述并联电感(4)包括第一孔柱(41)、第二孔柱(42)和双层金属极板(43)，第一孔柱(41)和第二孔柱(42)的上端均与双层金属极板(43)连接，所述双层金属极板(43)位于陶瓷基体(1)的第二层与第三层之间，所述的第一孔柱(41)和第二孔柱(42)均位于陶瓷基体(1)的第二层与第四层之间。

4.根据权利要求3所述的一种基于5g频段大宽带多传输零点ltcc带通滤波器，其特征在于，所述串联谐振器的第一孔柱(41)的下端与一个所述并联电容相连接，该串联谐振器的第二孔柱(42)的下端与一个所述串联电容相连接，所述并联电容的窄边端与第一孔柱(41)相连接，该串联谐振器的串联电容位于陶瓷基体的第六层与第八层之间，串联电容与第二孔柱(42)相连接，其中一个所述串联谐振器的第一孔柱(41)下端与底部输入电极input相连接，另一个所述串联谐振器的第一孔柱(41)下端与底部输出电极output相连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王今朝，毕永恒，章天金，江娟，甘霖，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：