System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种上电复位电路制造技术_技高网

一种上电复位电路制造技术

技术编号:40973136 阅读:5 留言:0更新日期:2024-04-18 21:22
本申请提供一种上电复位电路,包括:电流产生模块、延迟产生模块以及复位控制模块;延迟产生模块包括电容;电流产生模块的信号输出端与延迟产生模块的信号输入端以及复位控制模块的信号输入端连接;电流产生模块,用于生成为电容充电的充电电流,并将所产生的驱动信号输出至延迟产生模块以及复位控制模块;延迟产生模块,用于通过电容控制驱动信号的电压,以控制上电复位电路的复位时间;复位控制模块,用于在驱动信号的电压达到预设电压阈值的情况下,将复位信号从高电平转变为低电平并输出。通过实施本申请能够在上电阶段对数字集成电路进行复位。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路领域,具体涉及一种上电复位电路


技术介绍

1、目前,芯片刚上电时,许多电子元器件以及电路节点的电压和逻辑状态是不确定的。大规模数字集成电路需要在上电阶段进行复位,以消除寄存器中随机状态,获得一个预期的初始状态,消除上电初始时的不确定性。因此亟需一种上单复位电路在上电阶段对数字电路进行复位,以消除上电初始时的不确定性。


技术实现思路

1、本申请旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此,本申请上电复位电路,能够对在上电阶段对数字集成电路进行复位。

2、根据本申请一实施例的上电复位电路,包括:

3、电流产生模块、延迟产生模块以及复位控制模块;延迟产生模块包括电容;

4、电流产生模块的信号输出端与延迟产生模块的信号输入端以及复位控制模块的信号输入端连接;

5、电流产生模块,用于生成为电容充电的充电电流,并将所产生的驱动信号输出至延迟产生模块以及复位控制模块;

6、延迟产生模块,用于通过电容控制驱动信号的电压,以控制上电复位电路的复位时间;

7、复位控制模块,用于在驱动信号的电压达到预设电压阈值的情况下,将复位信号从高电平转变为低电平并输出。

8、通过电流产生模块所产生的充电电流为延迟产生模块中的电容充电,随着充电的时间的延长,驱动信号的电压逐渐升高,在驱动电压达到预设电压阈值的情况下,复位控制模块输出至数字电路的复位信号从高电平转变为低电平,数字电路进行上电复位。

9、根据本申请的一个实施例,电流产生模块,包括:若干电流镜;电流产生模块通过各电流镜生成,为电容充电的充电电流。

10、通过设置电流镜产生的电流对温度、供电电压具有较好的稳定性,实现对电容稳定的充电。

11、根据本申请的一个实施例,电流产生模块内电流镜的数量为3。

12、多级电流镜是一种由多个电流镜级联组成的结构,其能够提供了更高的输出电压摆幅和更好的线性特性,通过在电流产生模块内设置3个电流镜能够使得电流产生模块的性能更加稳定。

13、根据本申请的一个实施例,电流产生模块,还包括:充电电流控制开关;

14、电流产生模块所生成的驱动信号还反馈至充电电流控制开关,以使充电电流控制开关根据驱动信号的电压值,调整开关状态。

15、电流产生模块所生成的驱动信号,还反馈至内部的充电电流控制开关,使得充电电流控制开关可根据驱动信号的电压值,来调整开关的状态,控制开关的断开与闭合。

16、根据本申请的一个实施例,充电电流控制开关为第一三极管;

17、电流产生模块内的电流镜包括:第一电流镜、第二电流镜以及第三电流镜;

18、第一电流镜包括:第二三极管和第三三极管;第二电流镜包括:第四三级管和第五三极管;第三电流镜包括第六三极管和第七三极管;

19、电流产生模块,还包括:第八三极管、第九三级管、第十三极管、第十一三极管以及第十二三极管;

20、第一三极管的栅极与电流产生模块的信号输出端连接,第一三极管的源极接电源电压,第一三极管的漏极与第二三极管的源极连接;

21、第二三极管的源极还与第三三极管的源极连接,第二三极管的栅极与第三三极管栅极以及第二三极管的漏极连接,第二三极管的漏极还与第八三极管的源极连接;第三三极管的漏极与第九三极管的源极连接;

22、第八三极管的栅极与第八三极管的漏极连接,第八三极管的漏极还与第十三极管的源极连接;

23、第九三极管的栅极与第九三极管的漏极连接,第九三极管的漏极还与第四三极管的漏极连接;

24、第十三极管栅极与第十三极管的漏极连接,第十三极管的漏极还与第十一三极管的漏极连接;

25、第十一三极管的漏极还与第十一三极管的栅极连接,第十一三级管的源极接地;

26、第四三极管的漏极还与第四三极管的栅极连接,第四三极管的栅极还与第五三极管的栅极连接,第四三极管的源极接地;

27、第五三极管的源极接地,第五三极管的漏极与第十二三极管的栅极连接;

28、第十二三极管的栅极还与第十二三极管的漏极连接,第十二三极管的源极与第六三极管的漏极连接;

29、第六三极管的漏极还与第六三极管的栅极连接,第六三极管的栅极还与第七三极管的栅极连接,第六三极管的源极接电源电压;

30、第七三极管的源极接电源电压,第七三极管的漏极为电流产生模块的信号输出端。

31、根据本申请的一个实施例,第一三极管、第二三极管、第三三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管以及第十二三极管均为p沟道的mos管;第十一三极管、第四三极管以及第五三极管均为n沟道的mos管。

32、根据本申请的一个实施例,电容为:第十三三极管;第十三三极管的栅极与电流产生模块的信号输出端连接,第十三三极管的源极以及漏极均接地。

33、根据本申请的一个实施例,第十三三极管为n沟道的mos管。

34、根据本申请的一个实施例,复位控制模块,包括:第十四三极管、第十五三极管、第十六三极管、第十七三极管、第十八三极管以及第十九三极管;

35、第十四三极管的源极接电源电压,第十四三极管的栅极与第十五三极管的栅极连接,第十四三极管的漏极与第十五三极管的源极以及第十八三极管的源极连接;

36、第十五三极管的栅极还与第十六三极管的栅极连接,第十五三极管的漏极与第十六三极管的漏极、复位控制模块的信号输出端、第十八三极管的栅极以及第十九三极管的栅极连接;

37、第十六三极管的栅极还与第十七三极管的栅极连接,第十六三极管的源极与第十七三极管的漏极以及第十九三极管的源极连接;

38、第十七三极管的栅极与电流产生模块的信号输出端连接,第十七三极管的源极接地;

39、第十八三极管的漏极接地;第十九三极管的漏极接电源电压。

40、根据本申请的一个实施例,第十四三极管、第十五三极管以及第十八三级管均为p沟道的mos管;第十六三极管、第十七三极管以及第十九三极管均为n沟道的mos管。

41、只通过晶体管构成上电复位电路,结构简单,占用面积小,功耗低,兼容数字集成电路工艺,更适用于超低功耗大规模数字集成电路。

42、本申请实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果之一:

43、通过电流产生模块所产生的充电电流为延迟产生模块中的电容充电,随着充电的时间的延长,驱动信号的电压逐渐升高,在驱动电压达到预设电压阈值的情况下,复位控制模块输出至数字电路的复位信号从高电平转变为低电平,从而实现数字电路的上电复位,消除上电初始时的不确定性。此外,整个上电复位电路仅通过晶体管构成,结构简单,占用面积小,功耗低,更适用于超低功耗大规模数字集成电路。

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【技术保护点】

1.一种上电复位电路,其特征在于,包括:电流产生模块、延迟产生模块以及复位控制模块;所述延迟产生模块包括电容;

2.如权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块,包括:若干电流镜;所述电流产生模块通过各所述电流镜生成,为所述电容充电的充电电流。

3.如权利要求2所述的电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块内电流镜的数量为3。

4.如权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块,还包括:充电电流控制开关;

5.如权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述充电电流控制开关为第一三极管;

6.如权利要求5所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管以及第十二三极管均为P沟道的mos管;所述第十一三极管、所述第四三极管以及所述第五三极管均为N沟道的三极管。

7.如权利要求6所述的上电复位电路,其特征在于,所述电容为:第十三三极管;所述第十三三极管的栅极与所述电流产生模块的信号输出端连接,所述第十三三极管的源极以及漏极均接地。

8.如权利要求7所述的上电复位电路,其特征在于,所述第十三三极管为N沟道的mos管。

9.如权利要求8所述的上电复位电路,其特征在于,所述复位控制模块,包括:第十四三极管、第十五三极管、第十六三极管、第十七三极管、第十八三极管以及第十九三极管;

10.如权利要求9所述的上电复位电路,其特征在于,所述第十四三极管、所述第十五三极管以及所述第十八三级管均为P沟道的mos管;所述第十六三极管、第十七三极管以及第十九三极管均为N沟道的mos管。

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【技术特征摘要】

1.一种上电复位电路,其特征在于,包括:电流产生模块、延迟产生模块以及复位控制模块;所述延迟产生模块包括电容;

2.如权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块,包括:若干电流镜;所述电流产生模块通过各所述电流镜生成,为所述电容充电的充电电流。

3.如权利要求2所述的电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块内电流镜的数量为3。

4.如权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,所述电流产生模块,还包括:充电电流控制开关;

5.如权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述充电电流控制开关为第一三极管;

6.如权利要求5所述的上电复位电路,其特征在于,所述第一三极管、第二三极管、第三三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管以及第十二三极管均为...

【专利技术属性】
技术研发人员:齐敏孙泉康波
申请(专利权)人:无锡健芯半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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